Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
- Автор:
Мансуров, Владимир Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
176 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии | Ильин, Павел Александрович | 2002 |
| Термоэлектрические свойства гетерофазных структур | Пшенай-Северин, Дмитрий Александрович | 2003 |
| Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe | Сидоров, Георгий Юрьевич | 2011 |