Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
- Автор:
Сидоров, Георгий Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
156 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN | Кучерова, Ольга Владимировна | 2011 |
| Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе | Тарасов, Илья Сергеевич | 1983 |
| Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe | Фокша, Александр Яковлевич | 1984 |