Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах

• Автор: Задорожный, Филипп Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 154 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ЗАРЯЖЕННЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
1.1 Механизмы образования заряда на краевых дислокациях
1.2 Теоретические модели заряженных дислокаций
1.3 Исследование заряженных дислокаций с помощью электромагнитных волн
1.4 Постановка цели и задач исследования
2. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ НЕПОДВИЖНЫМИ ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ
2.1 Постановка задачи. Сечение рассеяния на заряженных дислокациях с одним типом точечных носителей заряда
в экранирующем облаке
2.2 Определение линейной плотности заряда дислокации и плотности дислокаций по интенсивности
центрального максимума картины рассеяния
2:3 Рассеяние волны, падающей параллельно осям дислокаций
2.4 Особенности рассеяния электромагнитной волны
на ионном кристалле с двумя типами точечных дефектов
2.5 Выводы
3.РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ
ПОДВИЖНЫМИ ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ
3.1 Постановка задачи. Сечение рассеяния на движущихся заряженных дислокациях с одним типом точечных носителей в зарядовом облаке
3.2 Рассеяние волны, падающей перпендикулярно
движущимся дислокациям
3.3 Рассеяние волны, падающей параллельно осям дислокаций. Определение скорости дислокаций по интенсивности центрального максимума картины рассеяния
3.4 Рассеяния на кристалле с двумя типами точечных носителей заряда и подвижными дислокациями
3.5 Особенности рассеяния на ионных кристаллах
с подвижными заряженными дислокациями
3.6 Особенности рассеяния на полупроводниковых кристаллах
п- и р- типа с подвижными заряженными дислокациями
3.7 Выводы
4.РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ НА КОЛЕБЛЮЩИМХСЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИЯХ
4.1 Постановка задачи. Сечение рассеяния на колеблющихся заряженных дислокациях с одним типом точечных носителей
в зарядовом облаке
4.2 Рассеяние волны, падающей перпендикулярно
к колеблющимся дислокациям
4.3 Зависимость интенсивности центрального максимума
картины рассеяния от частоты колебаний дислокаций
4.4 Особенности рассеяния на ионных и полупроводниковых кристаллах и- и р - типа с колеблющимися заряженными дислокациями
4.5 Выводы
5. СРАВНЕНИЕ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ С ИМЕЮЩИМИСЯ ТЕОРЕТИЧЕСКИМИ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМИ ДАННЫМИ
ПО РАССЕЯНИЮ СВЕТА НА КРИСТАЛЛАХ С ДИСЛОКАЦИЯМИ
5.1 Влияние фазовых искажений решетки и собственного излучения заряженной дислокации на рассеяние
электромагнитной волны
5.2 Сравнение теоретических и экспериментальных результатов рассеяния света краевыми дислокациями в ЩГК
5.3 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
ЛИТЕРАТУРА
Д <р = —(па-пе), (1.26)

где пе = па ехр
ґ еср

может быть линеаризовано:
(127)

Это равнение становится безразмерным с помощью подстановки:
' = ГВ=-Ц- (128)
гв 4 пе па
Таким образом, поскольку описанная линеаризация не отличается от метода решения уравнения Пуассона в моделях Эшелби [42] и Уитворта [44], считается, что заряженная нить дислокации по-прежнему окружена облаком дебаевского радиуса радиуса, где г0 - длина экранировки слабых электростатических полей ( дебаевская длина).
Однако для реальных полупроводников [3], [4] часто приходится сталкиваться с обратной ситуацией, когда в широком диапазоне расстояний 0 < г < Я от оси дислокации выполняется неравенство:
в(р »1. (1.29)

Данное условие не позволяет линеаризовать уравнение Пуассона в виде (1.26) и для его решения нужно использовать другой метод. В модели Рида предполагается, что если указанная область г < К удовлетворяет условию Д » г0 , то в пределах этой области можно использовать другое упрощение пе « п а.