Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
- Автор:
Мизеров, Андрей Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
126 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs | Михайлюк Екатерина Андреевна | 2016 |
| Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости | Мурашова, Алена Владимировна | 2002 |
| Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств | Ребров, Сергей Анатольевич | 1985 |