Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
- Автор:
Коханенко, Андрей Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
488 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа | Чусовитин, Евгений Анатольевич | 2009 |
| Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия | Чигинева, Анна Борисовна | 2004 |
| Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников | Черныш, Леонид Валентинович | 1984 |