Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
- Автор:
Коханенко, Андрей Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
488 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O) | Терещенко, Олег Евгеньевич | 1999 |
| Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса | Садофьев, Сергей Юрьевич | 2002 |
| Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур | Богатов, Николай Маркович | 1999 |