Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
- Автор:
Юрьев, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
117 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2 | Мамедов, Амандурды | 1984 |
| Люминесценция и преобразование энергии в минералах, керамиках и катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении | Яровой, Павел Николаевич | 2000 |
| Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи | Кислякова, Анна Юрьевна | 2008 |