Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Автор:
Сизов, Дмитрий Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором | Надточий, Алексей Михайлович | 2011 |
| Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами | Константинова, Елизавета Александровна | 2007 |
| Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения | Котов, Владимир Михайлович | 1998 |