Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Автор:
Сизов, Дмитрий Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств», автор — Сизов, Дмитрий Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2006 году. Объем работы: 151 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002937815. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP | Абрамкин, Демид Суад | 2012 |
| Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ | Скрипаль, Александр Владимирович | 1998 |
| Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111) | Азатьян, Сергей Геннадьевич | 2008 |