Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Автор:
Сизов, Дмитрий Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ | Мамедов, Шамиль Садых оглы | 1984 |
| Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах | Софронов, Антон Николаевич | 2010 |
| Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах | Грушко, Наталия Сергеевна | 1999 |