Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Автор:
Сизов, Дмитрий Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О | Копелевич, Григорий Александрович | 1999 |
| Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs | Титков, Илья Евгеньевич | 2001 |
| Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ | Кеслер, Валерий Геннадьевич | 2005 |