Поля дефектов и форма резонансных линий

• Автор: Нурутдинова, Инна Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1992
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 164 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ!
1.1. Применение резонансных методов для исследования

дефектов в кристаллах
1.2. Методы расчёта формы резонансных линий
1.3. Метод моментов
1.4. Статистический метод
1.5. Феномено логаческий подход к расчёту формы линии
1.6. Методы расчёта формы линий в неупорядоченных системах
1.7* Выводы. Постановка задачи
Глава II. НСШЙ ПОДХОД К СТАТИСТИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ ФОРШ ЛИНИИ
2.1. Метод расчёта формы неоднородно уширенных линий
2.2. Расчёт формы линии, обусловленной электрическими полями дефектов, в первом порядке теории возмущений
2.3. Раочйт формы линии, обусловленной квадратичными
по электрическим полям дефектов эффектами
2.4. Обсуждение результатов. Сопоставление с другими, подходами к расчёту формы линии
Глава III. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПО ЛЕЙ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ
3.1. Подходы к расчёту функций распределения полей дефектов
3.2. Распределение электрических полей точечных дефектов
3.3. Распределение градиентов электрических полей дефектов

3.4. Распределение электрических полей дефектов
более сложной структуры
Глава БГ. ФОРМА ЛИНИИ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ НЕЛИНЕЙНЫМИ ПО ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЯМ СЛАГАЕМЫМИ, ГРАДИЕНТАМИ ПОЛЕЙ И ПОЛЯМИ СЛОЖНЫХ ДЕФЕКТОВ
4.1. Форма резонансных линий, уширенных электрическими полями диполей
4.2. Форма резонансных линий, уширенных электрическими полями точечных зарядов
4.3. Форма резонансных линий, уширенных градиентами электрических полей
4.4. Форма резонансных линий, уширенных электрическими полями сложных дефектов
Глава У. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРШ РЕЗОНАНСНЫХ
ЛИНИЙ, УШИРЕННЫХ ПОЛЯМИ ДЕФЕКТОВ
Часть I. Исследование формы линии ЭПР в
5.1. Обзор литературы по исследованиям ЭПР в

5.2. Методика эксперимента. Концентрационная зависимость формы линии ЭПР Осг+ в
5.3. Теория формы линии ЭПР, уширенной электрическими полями дефектов и их градиентами
5.4. Описание экспериментальных форм линий ЭПР

Часть II, Исследование формы линии ЭПР Si - S4 центра в

5.5. Влияние примеси германия на свойства fr
центра в 2t
5.6. Методика эксперимента. Зависимость ширин линий
ЭПР St - SS центра в V-x от концентрации

германия
5.7. Теоретический анализ ширин линий ЗПР 8с - <5У центра в Кг К
5.8, Заключение
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ И ВЫВОДЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ I
ПРИЛОЖЕНИЕ II
ПРИЛОЖЕНИЕ III
ПРИЛОЖЕНИЕ ІУ
ЛИТЕРАТУРА
нии доранцева, функция распределения была представлена в виде произведения функций распределения компонент, каждая из которых лорен-циан. Ширины функций распределения компонент выбраны для всех диагональных компонент тензора напряжений одинаковыми, на неравными ширинам для недиагональных компонент, которые тоже равны между собой. К вопросу об обоснованности выбора функции распределения в таком виде вернёмся в дальнейшем в главе третьей. Аналогичным образом В том же объекте, но с парамагнитными ионами Л/л и 9сЬ1', функция распределения компонент тензора напряжений была представлена в виде произведения вероятностей распределения для отдельных компонент тензора, но в качестве функции распределения отдельной компоненты был выбран гауссиан /41/. Это указывает на один из недостатков этого подхода, заключающийся в том, что закон распределения уширяющих полей в одном и том же кристалле может быть выбран различным образом. Другим сущеетвеннЫм..недостатком является факт постулирования закона распределения полей, а не его расчёт.
В /43/ для расчёта формы линии параэлектрического резонанса, уширенной электрическими полями, также постулировался закон распределения компонент поля. Он был выбран в виде лоренциана, однако, в главе третьей будет показано, что закон распределения вектора электрического поля в кристалле в общем случае не представим не в виде лоренциана, не в виде гауссиана.
Отметим также, что обсуждаемый подход применим, когда экспериментальная форма линии или другие соображения позволяют с большой степенью вероятности предположить - какие ПОЛЯ ЯВЛЯЮТСЯ источником уширевия и. каков характер их распределения по кристаллу. В том случае, когда есть основания для таких предположения, феноменологический подход может быть использован. Например, когда направлено создаются специальные условия. Так, авторы /44,45/ на основе этого метода разработали механизм расчёта уширения линий ЭПР напряжениями,