Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
- Автор:
Рахимов, Одил
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
157 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe | Мидерос Мора Даниэль Алехандро | 2008 |
| Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн | Марков, Игорь Александрович | 2010 |
| Неизотермические процессы в системах на основе кремния | Рудаков, Валерий Иванович | 1998 |