Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
- Автор:
Рахимов, Одил
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
157 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния | Иванов, Павел Анатольевич | 2001 |
| Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка | Колесникова, Екатерина Владимировна | 2009 |
| Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой | Паримбеков, Заитхан Анарбекович | 1984 |