Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
- Автор:
Рахимов, Одил
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
157 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами», автор — Рахимов, Одил, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1984 году. Объем работы: 157 c. : ил. Внутренний код товара: 01003433264. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si | Макаренко, Владимир Александрович | 2006 |
| Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe | Левчук, Сергей Александрович | 2011 |
| Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si | Смагина, Жанна Викторовна | 2008 |