Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
- Автор:
Рахимов, Одил
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
157 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами», автор — Рахимов, Одил, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1984 году. Объем работы: 157 c. : ил. Внутренний код товара: 01003433264. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ | Сидоров, Игорь Викторович | 2010 |
| Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты | Сресели, Ольга Михайловна | 2001 |
| Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда | Тхумронгсилапа Папхави | 2010 |