Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
- Автор:
Кудряшов, Игорь Вениаминович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
112 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5 | Хосам Елдин Хелми Фатхалла Хегази | 2009 |
| Транспортные свойства гетероструктур на основе магнитных полупроводников | Ермолов, Алексей Викторович | 2006 |
| Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге | Васев, Андрей Васильевич | 2009 |