Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
- Автор:
Кудряшов, Игорь Вениаминович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
112 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе | Рудь, Василий Юрьевич | 2005 |
| Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах | Диденко, Ирина Сергеевна | 2000 |
| Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах | Сергеев, Ринат Александрович | 2004 |