Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
- Автор:
Пешев, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
245 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование особенностей тонкой структуры мелкого донорного центра лития в моноизотопном кремнии | Попков, Сергей Алексеевич | 2014 |
| Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями | Аксенов Максим Сергеевич | 2019 |
| Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs | Котельников, Игорь Николаевич | 2007 |