Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
- Автор:
Пешев, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
245 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках | Стародубцев, Артем Николаевич | 2000 |
| Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии | Якимова, Елена Владиленовна | 2000 |
| Квантовый транспорт в микросужениях и подвешенных квантовых точечных контактах на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs | Похабов Дмитрий Александрович | 2018 |