Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
- Автор:
Пешев, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
245 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка | Сабитов, Олег Юрьевич | 2009 |
| Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr | Прудаев, Илья Анатольевич | 2009 |
| Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий | Кривуца, Зоя Федоровна | 2000 |