Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия

• Автор: Пешев, Владимир Викторович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 245 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Образование радиационных дефектов в ОаАв
1.2. Отжиг радиационных дефектов в ваАз
1.3. Радиационные дефекты в 1пР
1.4. Состояние вопроса и задачи исследования
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1. Экспериментальная установка для измерения параметров глубоких центров методом НЕСГУ
2.2. Объекты исследования
2.3. Облучение образцов
2.4. Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник
2.5. Выводы. 65 ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ
В ваАз п-ТИПА
3.1. Накопление глубоких центров в НО и ОПЗ арсенида
галлия при комнатной температуре
3.2. Дефектообразование в интервале температур 80 - 500 К
3.3. Профиль концентрации центров ЕЗ в обратносмещенных при облучении диодах с барьером Шоттки
3.4. Зависимость степени влияния зарядового состояния
на накопление радиационных дефектов от энергии и массы бомбардирующих частиц
3.5. Анализ экспериментальных результатов

3.6. Облучение ОаАя интенсивными пучками электронов
3.7. Высокотемпературное облучение ОаАв
3.7. Выводы. 117 ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ
В 1пР п-ТИПА
4.1. Образование центров ЕЮ в НО и ОПЗ фосфида индия при электронном и у - облучениях
4.2. Облучение фосфида индия в температурном
интервале 100-400 К
4.3. Новый бистабильный "У-дефект в 1пР
4.4. Выводы. 141 ГЛАВА 5. ВЗАИМОСВЯЗЬ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С ИХ ОТЖИГОМ В ОаЛь п-ТИПА
5.1. Отжиг глубоких центров в НО и ОПЗ арсенида галлия, облученного у- квантами
5.2. Анализ экспериментальных результатов
5.3. Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на их отжиг в ОаАя, облученном протонами,
нейтронами и а- частицами
5.4. Выводы. 159 ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ ОБЛАСТЕЙ
РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ НА СПЕКТРЫ НЕСГУ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ п-ТИПА
6.1. Ы- пик в ваАй -п-типа, облученном протонами 63 МэВ
6.2. Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в ваАя на спектры НЕСГУ
6.3. Выводы

ГЛАВА 7. ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ
АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
7.1. Отжиг арсенида галлия, имплантированного кремнием, высокоэнергетическим пучком электронов
7.2. Влияние различных видов отжига на электрофизические свойства ионнолегированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего ОаАя
7.3. Измерение удельного сопротивления полуизолирующего ОаАв
7.4. Выводы
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ
Акт использования
Акт внедрения

Табл.1.7.Параметры глубоких ловушек в InP, созданных облучением 1 МэВ
электронами. Епа, Ера -энергии активации термоэмиссии электронов и дырок с уровня глубокого центра; а - кажущееся сечение захвата носителей на уровень; сШ/бФ- скорость введения центра; Еае, Erf (или Тае, та£)-энергии активации отжига (или температуры отжига) заполненного носителем и пустого центра.
центр Епа, Ера, эВ стхЮ15, см2 dN/бФ, см'1 Еае ИЛИ 1 ае Eaf ИЛИ Taf
Е4 0,14 0,2 (4н-15)х10'3 0,40 эВ 0,47 эВ
Е5 0,16 0,03 (5-т-12)х10'3 0,57 эВ 0,63 эВ
Е6 0,23 7 < 1,3x10'4
Е7 0,38 170 <4x10'3
Е8 0,37 15 < 3x10'2 370 К
Е9 0,54 1300 < 1,1х10'3
ЕЮ 0,60 250 < 4x10"3
Е11 0,76 2900 0,2 1,32 эВ 1,27 эВ
Н2 0,22 0,03 0,02
НЗ 0,32 0,6 0,5 1,32 эВ
Н4 0,37 0,8 2 1,32 эВ
Н5 0,53 5 <0,2
Н6 0,23 250 0,2 260 К 100 К