Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах
- Автор:
Фейгинов, Михаил Наумович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
95 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 | Малявка, Лариса Васильевна | 1999 |
| Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах | Нестоклон Михаил Олегович | 2017 |
| Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах | Пчелинцева, Екатерина Сергеевна | 2011 |