Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
- Автор:
Дзядух, Станислав Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
245 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение | Федоров, Михаил Иванович | 2004 |
| Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs | Котельников, Игорь Николаевич | 2007 |
| Исследование оптических свойств наноструктур полупроводник-металл в присутствии плазмонного резонанса | Ерюков Николай Александрович | 2016 |