Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
- Автор:
Дзядух, Станислав Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
245 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией | Брагин, Алексей Николаевич | 2003 |
| Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой | Афанасова, Ирина Владимировна | 2003 |
| Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа A??B??/A?B? с барьером Шоттки | Котов, Геннадий Иванович | 2015 |