Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
- Автор:
Дзядух, Станислав Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
245 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники | Егоров, Антон Юрьевич | 2011 |
| Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы | Журавлев, Андрей Григорьевич | 2010 |
| Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в твердых растворах AlxGa1-xAs | Маркосов, Максим Сергеевич | 2008 |