Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении

• Автор: Штанько, Виктор Федорович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 240 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ
1.1. Объекты исследований
1.2. Методики исследований
ГЛАВА 2. ДИССИПАЦИЯ ЭНЕРГИИ ИМПУЛЬСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ
В ВЫСОКООМНЫХ МАТЕРИАЛАХ
2.1. Расчет пространственного распределения поглощенного заряда в высокоомных материалах
2.2. Расчет распределения потенциала и напряженности электрического поля
2.3. Пространственно-временное распределение поглощенной энергии ИЭП в высокоомных материалах
2.4. Автоэлектронная эмиссия диэлектриков и полупроводников в условиях импульсного электронного облучения
2.5. Распределение электрического поля при развитии электрического пробоя в процессе облучения
2.6. Основные результаты и выводы по главе
ГЛАВА 3. ДЕГРАДАЦИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ВЫСОКООМНЫХ
МАТЕРИАЛОВ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ИЭП
3.1. Динамические механические напряжения в ионных кристаллах при воздействии ИЭП
3.2. Остаточные механические напряжения в ионных кристаллах после импульсного электронного облучения
3.3. Эволюция морфологии разрушений
3.4. Периодические структуры разрушений
3.5. Основные результаты и выводы по главе
ГЛАВА 4. ИМПУЛЬСНАЯ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПРЯМОЗОННЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
4.1. Люминесценция прямозонных полупроводников (анализ
литературы)
4.S. Импульсная катодолюминесценция прямозонных полупроводников равной предыстории
4.3. Зависимость интенсивности ИКЛ от условий возбуждения
и характеристик кристалла
4.4. Наведенное оптическое поглощение в прямозонных полупроводниках
4.5. Деградационные процессы в прямозонных полупроводниках при воздействии ИЭП
4.6. Основные результаты и выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
АИ - акустический импульс
АЗЗ - автозлектронная эмиссия
БС - быстрозатухающее свечение
ВЗ - геометрия с вакуумным зазором
ДА-пары - донорно-акцепторные пары
ИКЛ - импульсная катодолюминесценция
ИЭП - импульсный электронный пучок
КЗ - короткозамкнутая геометрия
КИ - краевое излучение
КЛИ - катодолюминесцентный источник
ПММА - полиметилметакрилат
ПОМ - поляриэационно-оптический метод
ПСР - периодические структуры разрушения
ТЗЗ - термоэлектронная эмиссия
УФ - ультрафиолетовая область спектра
ЩГК - щелочно-галоидные кристаллы
ФЩЗМ - фториды щелочно-земельных металлов
ЭДП - электронно-дырочная плазма
“ ои

4 » го(ф) Сі? = Г(ф) (2.4)

где Гт (ф) - функция распределения Мольера; Г’(?) - интегральное распределение Мольера. При численном интегрировании имеем:

Р'(Фі)- До + Г11/В + й/ВМФі + Дф/2)-Дф (2.5)
Используя значения Е(ф) интерполяцией находим такую совокупность Ф* = Р-1 (О,
которая соответствует последовательности равномерно расположенных значений
% ш Р(ф*) = ш/Н, (2.6)
где и = 0,1,2,3
Значения ф* заносятся в память ЭВМ. Тогда розыгрыш величины ф* сводится к генерации случайной величины % и нахождению номера ячейки и = N*4. в которую занесено соответствующее значение ф*. Если т не является целым числом, то ф* находится интерполяцией между значениями, занесенными в рядом расположенные ячейки или округляется до целого числа. Поведение интегральной функции Моль-ера-Бете таково, что она быстро приближается к единице при увеличении значения аргумента. Это приводит к увеличению ошибки в определении ф*. Поэтому, интервал для случайных чисел (0,1) разбивался на два подинтервала от О до 0.95 № = 100) и от 0.95 до 1. (К = 50). Перед расчетом задавались: начальная энергия электрона (Ео); угод падения на поверхность (при нормальном падении и0= О); координата поверхности (г0= 0). Алгоритм расчета по схеме "укрупненных" соударений с непрерывным замедлением был следующим.
1. Определялся сброс энергии ДЕі электрона С энергией Еі при