Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах
- Автор:
Лабутин, Олег Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей | Атаджиков, Какабай | 1984 |
| Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений | Ковш, Алексей Русланович | 1998 |
| Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках | Овчаров, Владимир Викторович | 2006 |