Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Родионов, Николай Викторович
01.04.10
Кандидатская
2009
Санкт-Петербург
188 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Оглавление
Введение
1 Водород в кристаллических полупроводниках
1.1 Основные способы внедрения водорода в полупроводники
1.2 Состояние водорода в кристаллической решетке полупроводников
1.2.1 Кремний
1.2.2 Германий
1.3 Взаимодействие водорода с примесями и дефектами
1.4 Диффузия водорода в полупроводниках
1.4.1 Уравнения диффузии
1.4.2 Эксперименты по диффузии водорода в и Се
1.5 Состояние водорода на поверхности Се и его влияние на
Выводы к главе 1 и задачи работы
2 Система германий—электролит и ее основные электрофизические характеристики
2.1 Строение и основные характеристики границы
полупроводник-электролит
2.2 Химическое травление поверхности германия
2.3 Поляризация германия в электролитах
2.3.1 Анодная поляризация — растворение и очистка поверхности
2.3.2 Катодная поляризация. Выделение водорода
Выводы
З Влияние водорода на рекомбинационные характеристики по-
верхности германия
3.1 Рекомбинационные характеристики поверхности Де в контакте с водными электролитами
3.2 Метод компенсации ФМЭ и ФП, его применение для изучения рекомбинационных свойств поверхности Єє
3.3 Результаты исследования влияния водорода на рекомбинационные
характеристики поверхности германия
3.4 Обсуждение результатов. Природа центров, возникающих при взаимодействии водорода с поверхностью Єє при его КП
Выводы
4 Влияние катодной поляризации и катодного выделения водорода на характеристики эффекта поля в системе германий-электролит
4.1 Эффект поля в полупроводниках на границе с электролитами
4.2 Методы измерения основных характеристик ЭППЭ и техника проведения эксперимента
4.2.1 Методика определения ВАХ и ВФХ
4.2.2 Методика измерения проводимости на переменном токе
4.2.3 Методика измерения подвижности свободных н.з
4.3 Динамические характеристики ЭППЭ в отсутствие выделения водорода (динамические циклы)
4.4 Влияние водорода на динамические характеристики ЭП в системе Де-электролит
Выводы
5 Влияние водорода на проводимость и подвижность свободных н.з. в объеме германия. Зарядовое состояние водорода в герма-
5.1 Процедура выполнения эксперимента
5.2 Зависимости проводимости и подвижности от концентрации легирующих примесей
5.3 Зависимости проводимости и подвижности от времени наводора-
живания. Экспериментальные результаты
5.4 Обсуждение результатов. Зарядовое состояние водорода в германии 138 Выводы
6 Изучение проникновения и перемещения водорода в германии методом „мембранной“ техники
6.1 Мембранная техника и ее возможности для изучения процессов проникновения и перемещения водорода
6.2 Методика и техника проведения эксперимента
6.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение
Выводы
Основные выводы
Благодарности
Литература
Список обозначений и сокращений
является образование донорных или акцепторных центров, имеющих характерную структуру, в которой межузельный атом водорода туннелирует вокруг более тяжелой примеси замещения, образованной такими атомами как Си, С, Эр О, Вс или Ъа.. Схематическое изображение О-Н туннелирующего центра в Се показано на рисунке 1.7. Предполагается что Н туннелирует между четырьмя идентичными межузельными положениями Тс] вокруг иона кислорода [49].
1.4 Диффузия водорода в полупроводниках
Как отмечалось ранее тот факт, что часто коэффициент диффузии водорода в Се оказывается часто ниже чем ожидалось [49, 67], и вообще имеются большие различия в результатах, может объясняться тем что водород в германии стремится объединяться в молекулы или оказывается захваченным на примеси. Рассмотрим далее теорию этих процессов.
1.4.1 Уравнения диффузии
Диффузия атомов в твердом теле возникает вследствие наличия градиента концентрации этих подвижных атомов. Плотность их потока J и концентрация С связаны так называемым эмпирическим первым законом Фит:
J=-Da-§c (1.3)
где коэффициент пропорциональности И называется коэффициентом диффузии.. Изменение концентрации подвижных атомов во времени задается градиентом плотности потока атомов и описывается вторым законом Фика:
дс зф в2с _ . д . д , , д
т - дх д2х~~ ’ гдх+3ду дг ( )
Для концентрации электронов в полупроводнике п и дырок р имеем:
5п = _ДЛг др_дфр дЬ дх ’ дЬ дх
В случае действия на носители заряда электрического поля Е, плотность потока электронов задается следующей формулой (для дырок аналогично):
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами | Рогожина, Татьяна Сергеевна | 2003 |
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN | Александров, Иван Анатольевич | 2015 |
Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава | Карачевцева, Мария Виссарионовна | 2000 |