Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Автор:
Вилисов, Анатолий Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
341 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Транспортные свойства углеродных наноструктур на основе графита и многостенных нанотрубок | Латышев, Александр Юрьевич | 2009 |
| Спектроскопия экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами в магнитном поле | Григорьев, Филипп Сергеевич | 2016 |
| Спектроскопия колебательных состояний в соединениях со структурой шеелита и твердых растворов на их основе | Нагиев, Вячеслав Мамедович | 1984 |