Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Автор:
Вилисов, Анатолий Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
341 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников | Бодягин, Николай Викторович | 1998 |
| Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах | Старчук, Александр Сергеевич | 2006 |
| Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек | Дмитриев, Иван Александрович | 2002 |