Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Автор:
Вилисов, Анатолий Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
341 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение», автор — Вилисов, Анатолий Александрович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2001 году. Объем работы: 341 с. : ил. Внутренний код товара: 01000322265. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5 | Глотов, Антон Валерьевич | 2011 |
| Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности | Тимошенко, Виктор Юрьевич | 2001 |
| Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs | Кузьменков, Александр Георгиевич | 2008 |