Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Автор:
Вилисов, Анатолий Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
341 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2 | Мамедов, Амандурды | 1984 |
| Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI) | Кашерининов, Петр Георгиевич | 2010 |
| Исследование экситонных спектров поглощения в полупроводниковых кристаллах с учетом ангармонизма фононов | Шепета, Александр Макарович | 1984 |