Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур

• Автор: Токранов, Вадим Ефимович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 105 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Фотолюминесцентные исследования излучательной
рекомбинации квантово-размерных АЮаАв/ОаАз-гетероструктур,
полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
§ 1. Описание технологии выращивания. Спектры фотолюминесценции
1.1 Описание технологии выращивания и энергетические зонные диаграммы
исследуемых структур
1.2. Спектры фотолюминесценции образцов
§2. Методика измерения квантового выхода в квантово-размерных
фотолюминесцентных гетероструктурах
2.1. Измерение квантового выхода структур со стравленной подложкой и калибровка абсолютной величины квантового выхода
2.2. Результаты измерений квантового выхода в структурах с подложкой в зависимости от уровня возбуждения
§3. Температурные исследования квантового выхода излучательной рекомбинации и спектров ФЛ. Особенности для образца с 50 А
квантовой ямой
§4. Оптическая накачка АЮаАэЛЗаАз ФЛ гетероструктур. Электролюминесцентные характеристики лазерных гетероструктур с р-п
переходом
Выводы к главе
ГЛАВА 2. МЛЭ рост лазерных АЮаАэ/ОаАз КЯ РО ДГС структур. Оценка кристаллического совершенства методом высокоразрешающей
рентгеновской дифрактометрии
§1. Технология выращивания АЮаАв/ОаАв лазерных КЯ РО ДГС и основные характеристики изготовленных лазерных диодов

1.1. Описание технологии лазерных КЯ РО ДГС с двумя вариантами выращивания волноводных слоев, проблема стыковки режимов выращивания
1.2. Исследование электролюминесцентных характеристик лазерных диодов
§2. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия лазерных
гетероструктур
2.1. Краткое описание метода
2.2. Трехступенчатый анализ с численным моделированием. Кривые дифракционного отражения и статический фактор Дебая-Валлера
§3. Влияние несовершенства кристаллической структуры эпитаксиальных слоев на срок службы лазерных диодов
3.1. Обсуждение выбранной методики деградационных испытаний и полученных результатов по деградации лазерных диодов
3.2. Обсуждение связи результатов деградационных испытаний с фактором Дебая-Валлера. Возможность прогнозирования времени наработки на отказ по фактору Дебая-Валлера
3.3. Ограничения, накладываемые на предложенную методику
Выводы к главе
ГЛАВА 3. Получение однородных массивов КТ с высокой плотностью и
использование их в активной области лазерных гетероструктур
§1. МЛЭ-выращивание по методу Странского-Крастанова однородных массивов поверхностных 1пАз-КТ на подложках (001)ОаАз разориентированных в направлении [010]
1.1.Технология формирования ступеней
1.2.Выращивание ЬхАя-квантовых точек для исследований методами атомносиловой микроскопии

§2. Исследования методами атомно-силовой микроскопии выращенных
образцов
§3. Модельные представления выращивания массивов КТ на вицинальных поверхностях
3.1. Расчет формирования вицинальной поверхности
3.2. Модельные представления выращивания КТ на вицинальных поверхностях
§4. Особенности выращивания и исследование пороговой плотности тока лазерных гетероструктур с одним слоем 1пАз-КТ в активной области
Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

р-слоем вниз, с шириной полоска 100 мкм и длиной резонатора 1мм представлена на рис. 10. Лазерные диоды без зеркальных покрытий обладали пороговыми плотностями тока генерации 210 А/см2 и дифференциальными квантовыми эффективностями 35% на каждое зеркало.
Полученные результаты по оптической накачке фотолюминесцентных образцов и электролюминесцентные характеристики выращенных в дальнейшем структур с р-п-переходом позволяют сделать вывод об определяющем значении 100%-го внутреннего квантового выхода люминесценции для создания низкопороговых квантоворазмерных инжекционных лазерных диодов.