Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе

• Автор: Стецюра, Светлана Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 174 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Г лава 1. Влияние степени неоднородности структуры на ее электро-
физические и фотоэлектрические характеристики.
Аналитический обзор
1.1. Неоднородность поликристаллических фоторезисторов
1.2. Модели, описывающие неоднородные структуры в приближении
фиксированной или подвижной неоднородности

1.3. Определение неоднородности полупроводниковой структуры по
частотным характеристикам ее импеданса
1.4. Структура и характеристики поликристаллических гетерофазных
слоев CdS-PbS в сравнении с CdS-CdSe
1.4.1. Твердые растворы на основе CdS-CdSe и CdS-PbS
1.4.2. Процессы, приводящие к деградации полупроводников типа CdS
под воздействием внешних факторов
1.4.3. Увеличение деградационной стойкости поликристаллических
слоев типа CdS
1.4.4. Увеличение фоточувствительности поликристаллических слоев
типа CdS
1.5. Фотоемкостные эффекты на структурах, содержащих
фотопроводящие неоднородные слои
1.6. Выводы по главе
Г лава 2. Особенности электрофизических и фотоэлектрических
характеристик поликристаллических фоторезисторов типа CdS, проявляющиеся при добавлении PbS

2.1. Технология получения поликристаллических пленок Сс18х8еі.х и
пленок ограниченных твердых растворов С(Вх8еі_х-РЬ8
2.2. Рентгеноструктурный анализ поликристаллических пленок
(Ч18,8е.А-1’Ь8
2.3. Особенности статических характеристик поликристаллических
пленок Сб8х8еі_х-РЬ8
2.3.1. Методика измерения ВАХ, ЛАХ, спектральных
характеристик и коэффициента световой нестабильности
2.3.2. Методика облучения поликристаллических пленок С с! 8,8 с і х
и СФ8х8еі.х-РЬ8 электронами средних энергий
2.3.3. Исследование ВАХ, ЛАХ и спектральных характеристик поликристаллических пленок Сб8х8еі_х и Сб8х8еі_х-РЬ8 до и
после электронного облучения
2.3.4. Исследование ВАХ, ЛАХ и спектральных характеристик
поликристаллических пленок Сб8х8еі.х-РЬ8 до и после приложения постоянного электрического поля высокой напряженности
2.4. Исследование динамических характеристик поликристаллических
пленок СбЗхБеьх и Сб8х8еі.х-РЬ8 на деградационную стойкость
2.4.1. Методика измерения зависимости фотоответа от частоты
модулированного освещения и определения времен фотоответа
2.4.2. Зависимость фотоответа от частоты модулированного
освещения до и после облучения электронами допороговых энергий
2.5. Обсуждение результатов
2.6. Выводы по главе
Глава 3. Поверхностный фотоемкостный эффект (ФЕЭ) на структурах с
фотопроводящими пленками
3.1. Изменение степени неоднородности при Б- и (1
3.2. Физическое и математическое моделирование 8-ФЕЭ
3.3. Зависимость люкс - фарадных , спектральных и частотных
характеристик ПЧФК от соответствующих характеристик фоточувствительного слоя
3.4. Характеристики ПЧФК с пленками Сс18х8е1_х- РЬБ в качестве
фоточувствительного слоя. Сравнение расчетных и экспериментальных зависимостей
3.5. Расширение функциональных возможностей ПЧФК на основе
пленок Сё8х8е1.х-РЬ8 за счет второго гребенчатого электрода
3.6. Основные результаты и выводы по главе
Глава 4. Исследование степени неоднородности полупроводниковых
структур с использованием частотных зависимостей импеданса
4.1. Методика расчета степени неоднородности полупроводниковых
структур по частотным зависимостям мнимой и действительной частей импеданса в приближении фиксированной
неоднородности
4.2. Определение диапазона концентраций, имеющих место в
исследуемом образце
4.3. Учет перераспределения концентрации в образце под действием
электрического поля
4.4. Методы решения систем уравнений, имеющих неустойчивое
решение
4.5. Методика измерения частотных зависимостей мнимой и
быть связано с широтой оптического спектра, в котором могут содержаться частоты, приводящие к оптической деградации.
В работе [52] исследуются монокристаллы CdS при облучении электронами надпороговых энергий (Е=1,2 МэВ). Было обнаружено уменьшение интенсивности всех полос люминесценции и фоточувствительности. По преобразованию полос красной люминесценции под действием облучения делаются выводы, что деградация полупроводника происходит в результате следующих процессов [52J: 1) образуются точечные дефекты Vca и Vs и, возможно, распадаются исходные донорно-акцепторные пары; 2) часть введенных радиацией вакансий Vca и Vs образуют комплексы , а часть Vca взаимодействуют с подвижным Си;, образуя центры Сиса и уменьшая тем самым концентрацию Си, в решетке, 3) в дальнейшем возможна ассоциация Сиса и Vs, что приводит к появлению новой высокоэнергетической полосы красной люминесценции. Сравнение результатов отжига образцов, легированных медью и нелегированных, свидетельствует об одинаковой схеме протекания процессов преобразования центров зеленой люминесценции в этих образцах [53]. Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции происходит по-разному. Все эти факты объясняются тем, что атомы Си в основном взаимодействуют с собственными дефектами в кадмиевой подрешетке. В [54] эти исследования получили дальнейшее развитие на основе сравнения спектров люминесценции после и до элеюронного облучения и отжига при разных температурах, а также с использованием исследований при помощи электронного микроскопа. Были сделаны выводы, которые подтверждают предположения сделанные ранее в [55], что при электронном облучении вместе с излучательными вводятся также безызлучательные «быстрые» центры рекомбинации, которые накапливаясь, перераспределяют на себя значительную долю рекомбинационного потока неравновесных носителей. Предположительно роль таких центров играют преципитаты межузельных атомов, образование которых наблюдалось непосредственно. Кроме того, с увеличением концентрации радиационных