Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Автор:
Ардышев, Михаил Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова | Рябцев, Станислав Викторович | 2011 |
| Коммуникативные стратегии и тактики в медиажанре литературной рецензии (на материале "Литературной газеты") | Талипов Нияз Хатимович | 2016 |
| Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах | Сомов, Андрей Ильич | 1999 |