Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Автор:
Ардышев, Михаил Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические и электрофизические свойства объемных гетеропереходов на основе фуллерена и органических либо неорганических доноров | Зиминов, Виктор Михайлович | 2014 |
| Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок | Плетнев, Петр Михайлович | 1997 |
| Формирование и модификация кремниевых светоизлучающих квантово-размерных наноструктур радиационными методами | Черкова Светлана Глебовна | 2018 |