Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Автор:
Ардышев, Михаил Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS | Канахин, Алексей Алексеевич | 2015 |
| Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод | Василевский, Константин Валентинович | 2002 |
| Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа A??B??/A?B? с барьером Шоттки | Котов, Геннадий Иванович | 2015 |