Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Автор:
Ардышев, Михаил Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs», автор — Ардышев, Михаил Вячеславович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2000 году. Объем работы: 151 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000263640. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN | Смирнова, Ирина Павловна | 2007 |
| Электрозвуковые поверхностные волны в кристаллах с однородной нестационарностью свойств и равномерным движением границ | Марышев, Сергей Николаевич | 2009 |
| Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах | Сомов, Андрей Ильич | 1999 |