Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Автор:
Ардышев, Михаил Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x | Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат | 2000 |
| Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111) | Галкин, Николай Геннадьевич | 2001 |
| Разработка и экспериментальная проверка статической модели расчёта максимального управляемого тока МОП тиристора | Чернявский, Евгений Вадимович | 2004 |