Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Автор:
Ардышев, Михаил Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Локализованные электронные и фононные состояния в полупроводниковых ветвящихся молекулярных структурах | Рындина Татьяна Сергеевна | 2018 |
| Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода | Махиборода, Максим Александрович | 2011 |
| Исследование оптических свойств наноструктур полупроводник-металл в присутствии плазмонного резонанса | Ерюков Николай Александрович | 2016 |