Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Автор:
Ардышев, Михаил Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs», автор — Ардышев, Михаил Вячеславович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2000 году. Объем работы: 151 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000263640. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий | Саблин, Виктор Александрович | 2011 |
| Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3 | Рудов, Фёдор Валентинович | 2012 |
| Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана | Кулеманов, Иван Васильевич | 2012 |