Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs

• Автор: Ардышев, Михаил Вячеславович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 151 с. : ил.

Содержание
Список сокращений и условных обозначений
Введение
Глава 1 Радиационный отжиг арсенида галлия (обзор 12 литературных данных)
1.1. Импульсный отжиг СаАв в адиабатическом режиме
1.2. Импульсный отжиг СаАв в изотермическом режиме
1.3. Постановка задачи исследований
Глава 2 Методика эксперимента
2.1 Исходный материал
2.2 Имплантация ионов
2.3 Диэлектрические плёнки и отжиг
2.4 Измерения на тестовых кристаллах
2.5 Измерение удельного сопротивления, слоевой концентра- 48 ции и холловской подвижности электронов (метод Ван дер
Пау)
Глава 3 Роль атермических факторов в процессах пе
рераспределения примесей в СаА8 при радиационном отжиге
3.1 Электронный отжигСаАв, имплантированного
3.1.1 Расчёт распределения поглощённой энергии при облуче- 53 нии электронами и температуры нагрева СаАв
3.1.2 Электрофизические свойства ИЛС п-СаАв, имплантиро- 61 ванного кремнием, после электронного отжига
3.2 Фотонный отжиг СаАв, имплантированного кремнием и 74 серой
3.2.1 Расчёт температуры нагрева при фотонном отжиге
3.2.2 Электрофизические свойства ИЛС ваАв: 81 после 76 фотонного отжига
3.2.3 Электрофизические свойства ИЛС СаАэ: в после ФО
Выводы к Главе
Глава 4 Исследование влияния различных факторов на
поведение примеси и дефектов в СаАв при радиационном отжиге
4.1 Определение параметров концентрационного профиля
примеси после отжига

4.2 Влияние температуры при фотонном и плотности мощ- 92 ности при электронном отжигах на поведение кремния в ар-сениде галлия
4.3 Влияние диэлектрических плёнок на поведение Si в GaAs
4.3.1 Механические напряжения в структуре диэлектрик-полу- 102 проводник
4.3.2 Концентрационные профили
4.4 Влияние исходного материала на поведение кремния в 107 арсениде галлия
4.5 К вопросу о механизме наблюдаемых явлений
4.5.1 Диффузия примеси, стимулированная ионизацнонно-тер- 119 мическим процессом
4.5.2 Элсктроактивацня примеси, стимулированная ионизаци- 122 онно-термическим процессом
Выводы к Главе
Глава 5 Применение ионизационно-термической техно- 127 логии в производстве структур полупроводниковых приборов
5.1 Полевые транзисторы с барьером Шоттки
5.2 Варикапы
Выводы к Главе
Заключение
Список публикаций автора
Литература
Приложение '

список
сокращений и условных обозначений
БС - буферный слой БШ - барьер Шоттки ВАХ - вольт-амперная характеристика ВИМС - масс-спектроскопия на вторичных ионах ВФХ-метод - метод вольт-фарадных характеристик ИЛС - ионно-легированный слой ИЛУ - ионно-лучевая установка КТР - коэффициент термического расширения ЛО - лазерный отжиг
ЛШШ-теория - теория Линхарда-Шарффа-Шиотта НИЗ - неравновесный носитель заряда
Н(Е)СГУ - нестационарная (емкостная) спектроскопия глубоких уровней ОГК примеси - обратный градиент концентрации примеси ОК - омический контакт ОКГ - оптический квантовый генератор ПТШ - полевой транзистор с барьером Шоттки РО - радиационный отжиг
РОР - резерфордовское обратное рассеяние ТО - термический отжиг ФЛ - фотолюминесценция ФО - фотонный отжиг ЭВ - электронное возбуждение ЭДТ-модель - электронно-деформационно-тепловая модель ЭО - электронный отжиг ЭП - эпитаксиальная плёнка

Рис. 1 Функциональная схема ионно-лучевой установки 1 - источник ионов; 2 - система вытягивания и первичного формирования пучка; 3 - магнитный масс-сепаратор; 4 - регулируемая диафрагма; 5 - система ускорения; б - фокусирующая линза; 7 - система сканирования и отклонения пучка; 8 - приёмная камера.