Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур

• Автор: Чайка, Александр Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 123 с. : ил.

Оглавление
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Атомарно-чистая поверхность ОаАз( 110)
1.2. Формирование пленок металлов
1.3. Электронные свойства контакта металл-полупроводник
1.4. Формирование интерфейсов в системах редкоземельный элемент-поверхность ОаАвД10)
1.5. Краткие выводы и постановка задачи
Глава 2. Методика эксперимента
Общие замечания
2.1. Методы анализа атомной структуры поверхности
2.1.1. Дифракция медленных электронов
2.1.2 Оже-электронная спектроскопия
2.2. Методы анализа электронной структуры поверхности
2.2.1. Спектроскопия характеристических потерь энергий электронов
2.2.2. Фотоэлектронная спектроскопия
2.3. Методика формирования слоев Об и Иу на поверхности ОаАэД 10)
2.4. Методика низкотемпературного эксперимента
2.5. Экспериментальные установки
Глава 3. Исследование системы Об/СаАэО 10) в диапазоне
температур 20—300 К
3.1. Экспериментальные результаты
3.1.1. Дифракция медленных электронов

3.1.2. Фотоэлектронная спектроскопия
3.1.3. Спектроскопия характеристических потерь энергий электронов
3.2. Обсуждение результатов
3.2.1. Формирование интерфейса Об/ХЗаАзД10) при низких и комнатной температурах
3.2.2. Зависимость механизма роста от температуры подложки
3.2.3. Формирование барьера Шоттки в системе Оё/ваЛьДЮ)
3.3. Краткие выводы
Глава 4. Исследование системы Оу/ОаАБ(110) в диапазоне
температур 20--300 К
4.1. Экспериментальные результаты
4.1.1. Дифракция медленных электронов
4.1.2. Фотоэлектронная спектроскопии
4.1.3. Спектроскопия характеристических потерь энергий электронов
4.2. Обсуждение результатов
4.2.1. Зависимость морфологии слоя и образующихся в интерфейсе продуктов реакции от температуры подложки
4.2.2. Формирование барьера Шоттки в системе Бу/ОаАьД 10) при
100 К и 300 К. Связь величины барьера со структурой интерфейса
4.3. Краткие выводы
Заключение
Литература

Список используемых сокращений:
БШ - барьер Шоттки ДМЭ - дифракция медленных электронов ОЭС - оже-электронная спектроскопия ПС - поверхностные состояния РЗЭ - редкоземельный элемент СВВ - сверхвысокий вакуум СК - Странски-Крастанов СТМ - сканирующая туннельная микроскопия СХПЭЭ - спектроскопия характеристических потерь энергий электронов УФЭС - ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия ФВ - Фольмер-Вебер ФВДМ - Франк-ван дер Мерве
0 - величина покрытия в монослоях МЬ - монослой

2. Изучить механизмы формирования БШ для систем СісІ/СаАл и Иу/ОаЛэ при разных температурах подложки и сравнить полученные данные с известными из литературы для других исследованных РЗЭ.
3. Проследить связь реактивности интерфейсов с температурой подложки в изучаемых системах, ее влияние на морфологию, механизм роста слоя, структуру интерфейсных фаз и механизм формирования БШ.