Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания
- Автор:
Ивкин, Андрей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
138 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания», автор — Ивкин, Андрей Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 1998 году. Объем работы: 138 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000196812. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электронно-энергетической и атомной структуры и фотолюминесценции пленок SiOx имплантированных углеродом | Спирин, Дмитрий Евгеньевич | 2013 |
| Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн | Марков, Игорь Александрович | 2010 |
| Влияние адсорбционных покрытий на фотолюминесценцию пористого кремния | Синдяев, Андрей Васильевич | 2001 |