Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия
- Автор:
Мустафа Назар Селман
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
137 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe | Бродовой, Александр Владимирович | 1984 |
| Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур | Касаманян, Затик Акопович | 1982 |
| Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS | Парамонов, Андрей Викторович | 2005 |