Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия
- Автор:
Мустафа Назар Селман
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
137 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN | Рабинович, Олег Игоревич | 2008 |
| Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей | Атаджиков, Какабай | 1984 |
| Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик | Алешин, Андрей Николаевич | 2009 |