Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия

• Автор: Мустафа Назар Селман
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 137 с.

Оглавление
Введение
Глава 1. Дефекты и дефектообразование в структурах ЗІ-ЗЮ2
1.1 Строение термически полученного окисного слоя на поверхности кремния
1.2 Дефекты в слоях двуокиси кремния на кремнии
1.3 Дефектообразование в структурах ЭнЭЮ
Глава 2. Методика эксперимента
2.1 Используемые образцы
2.2 Экспериментальные методы исследования
2.2.1 Особенности системы электролит-диэлектрик-полу-
проводник (ЭДП)
2.2.2 Измерение ВЧ вольтфарадных характеристик систе-
мы ЗІ-ЗІ02-злектролит
2.2.3 Метод полевых циклов
2.2.4 Метод послойного стравливания
2.3 Метод кинетиктока
2.4 Метод последовательных кинетиктока
Выводы к главе
Глава 3. Исследование изменений зарядового состояния структур 3і-3і02 в результате полевых воздействий
3.1 Исследование процессов дефектообразования в структурах 3і-3і02 (с!ох > 50нм)
3.2 Характеристики электрически активных центров, образую-
щихся при полевом воздействии на структуры из области
полей ЕЗ
3.3 Изменение зарядового состояния структур ЭкСе
3.3.1 Исследование структур ЭкОе - ЭЮ2 методом полевых
циклов
3.3.2 Исследование ЭкЗе-ЭЮ., методами кинетики /РВ и по-
слойного профилирования
3.4 Исследование процессов дефектообразования в структурах ЗІ-ЗІ02 (бох < 50 нм)
3.4.1 Полевые циклы, полученные на структурах ЗІ-ЗІ02
(сІох < 50 нм)
3.4.2. Кинетика /РВ при полевых воздействиях из области электрических полей ЕЗ на структуры 3і-3і02
(сіох < 50 нм)
Выводы к главе
Глава 4. Исследование изменений зарядового состояния структур ЗІ-ЗЮ2 в процессе полевого воздействия
4.1 Изменение зарядового состояния структур ЗІ-ЗІ02
фох > 50 нм) в процессе полевого воздействия из области полей ЕЗ
4.1.1 Кинетики сквозного тока системы ЗІ-ЗІ02-злектролит в
области электрических полей ЕЗ
4.1.2 О стабильности зарядов, образующихся в структурах
ві-БІО;, непосредственно в процессе полевого воздействия
4.1.3 Определение параметров зарядов, образующихся в
структурах БІ-ЗЮ,, в результате полевого воздействия в области полей ЕЗ

4.1.4 Использование метода последовательной регистрации
кинетик тока для изучения процессов образования зарядов в подвергнутых полевому воздействию структурах 5і-БІ02
4.1.5 Аномальное поведение кинетик тока и потенциала
плоских зон структур ві-ЗіСХ, (сІ0Х > 50нм)
4.2 Изменение зарядового состояния структур ЭнвЮ
(сіох < 50нм) в процессе полевого воздействия в области ЕЗ
Выводы к главе
Глава 5. Процессы полевого дефектообразования и природа образующихся дефектов в структурах ЗІ-ЗЮ2
5.1. Обобщение экспериментальных результатов
5.2. Возможные механизмы полевого дефектообразования и природа образующихся дефектов
Выводы к главе
Основные выводы
Литература

Здесь необходимо отметить, что в этом случае определение параметров заряда осуществляется после прекращения полевого воздействия. Это обстоятельство ставит перед нами еще одну важную задачу настоящей работы: установить происходят ли изменения параметров образующегося в результате полевого воздействия заряда после его прекращения или прерывания. И в случае их неизменности (а это именно так, как будет показано ниже в главе 4) выражения (2.11) и (2.12) образуют систему уравнений относительно 0(1:) и Х(0, которая может быть решена следующим образом:
0(г) = ДУга0) х С0 + е0х єохх Еохх 111(1,(1) /10) х (В / Еох + 2)-> (2.13)
ЕоХ х (ЗоХ“Х 1п(І,(1) / ї0)
Х(Ц =
ДУРВ(1) х (В / Еох + 2) + Е0ХХ с!ох х 111(1,(1) /10)
Таким образом, регистрируя в процессе полевого воздействия на структуру Бі-ЗЮ, в системе ЭДП кинетики сквозного тока и потенциала плоских зон (может быть осуществлено либо путем прерывания полевого воздействия при снятии ВД, либо параллельно со снятием кинетики тока на другом образце при тех же условиях поляризации) мы можем проследить за изменением параметров заряда во времени и определить их конечные значения после полного прекращения полевого воздействия, не прибегая к дополнительным электрофизическим измерениям (фотоинжекционные измерения, измерения ВФХ в сочетании со стравливанием окисного слоя и т.д.)
Блок-схема установки, использовавшейся для записи кинегик тока системы Бі-ЗЮ,-электролит, приведена на рис. 2.5.