Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия
- Автор:
Мустафа Назар Селман
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
137 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа | Шевлягин, Александр Владимирович | 2019 |
| Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений | Мамутин, Владимир Васильевич | 2011 |
| Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения | Гудовских, Александр Сергеевич | 2002 |