Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора

• Автор: Шипицын, Дмитрий Святославович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 132 с. : ил

ГЛАВА 1. ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ КВАНТОВОГО
АНАЛОГА КМОП- ТРАНЗИСТОРА
1.1. Гетероструктуры на основе влАя
/. 1.1. Приборы с резонансным туннелированием электронов
1.1.2. Приборы на сверхрешетках
1.1.3. Гетероструктуры с селективным легированием и двумерным
электронным газом
1.2. Омические контакты к гетерострукт урам с квантовыми ям а ми. ..,
1.2.1. Омические контакты к структурам на С а Ах
1.2.2. Омические контакты к отдельным квантовым ямам
1.3. Латеральный транспорт в одноямных структурах
1.4. Эффекты трансформации волновой функции электронов в многоямных
структурах
1.5. Выводы ПО Г ЛАВЕ
ГЛАВА 2. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
ГЕТЕРОСТРУКТУР СА(11Ч)А8/АЬСАА8
2.1. Описание установки молекулярно-лучевой эпитаксии ЦНА
2.2. Получение сверхвысокого вакуума
2.3. Материалы для МЛЭ
2.4. Подготовка подложек

(зависит от качества кристалла и его обработки), причем они могут быстро диффундировать в активный слой, выращенный на подложке (например, при 800°С постоянная диффузии достигает 410'^ см^/с).
В настоящее время для изготовления гетероструктур наиболее часто используются подложки с поверхностью в вицинальных плоскостях. Минимальная энергия такой поверхности соответствует серии террас в точной низкоиндексной плоскости, разделенных моноатомными или мономолекулярными ступенями. Основное свойство вицинальной поверхности -это совершенно определенная плотность ступеней или ширина террасы, то есть вицинальная поверхность - это регулярная решетка ступеней и террас. Такая регулярная решетка является закономерной предпосылкой воспроизводимого двумерного роста, который обычно контролируют с помощью метода дифракции отраженных быстрых электронов. Амплитуда осцилляций интенсивности электронного пучка отражает переход от стадии двумерного зарождения к полностью заполненному слою. Если электронный луч направлен вдоль террасы, осцилляции будут наблюдаться только в том случае, если длина миграции адатомов достаточно мала но сравнению с шириной террасы. В связи с этим для каждой ориентации поверхности существует своя критическая температура, при которой длина миграции адатомов достигает ширины террасы. Разориентацию от плоскости (100) можно делать в направлении [110], [110] или [010]. При этом формируются различные структуры ступеней. В результате различаются и критические температуры Тс[ 110]>ТС[010]>ТС[ НО].