Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
- Автор:
Ковш, Алексей Русланович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
157 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование квантового электронного транспорта в разветвлённых полупроводниковых структурах с пониженной размерностью | Цуриков Давыд Евгеньевич | 2015 |
| Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов | Сысоев, Виктор Владимирович | 1998 |
| Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа | Джумалиев, Александр Сергеевич | 2000 |