Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
- Автор:
Ковш, Алексей Русланович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
157 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике | Седова, Ирина Владимировна | 2006 |
| Процессы самосборки массивов и энергетический спектр нанокристаллов CdS, синтезированных в матрице Ленгмюра-Блоджетт | Свит Кирилл Аркадьевич | 2017 |
| Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца | Анисимов, Александр Маркович | 1983 |