Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды

• Автор: Энтин, Матвей Вульфович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 177 с. : ил.

_ I Введение

II Фотогальванический эффект в кристалле без центра инверсии

§1.ФГЭ в области примесь-зонных переходов

^ §2.Теория явлений переноса в сильном статическом электрическом поле для кристаллов без центра инверсии

^ 1. Постановка задачи

2. Решение кинетического уравнения

3. Обсуждение

§3.Фотогальванический эффект при учете электрон-дырочного взаи-^ модействия

§4. Токи в неравновесных полупроводниках без центра инверсии

§5. Фотогальванический эффект при спиновом резонансе в квантующем магнитном поле

1. Теория
® 2. Обсуждение экспериментальных результатов
§6. Усиление фотогальванического эффекта в двумерно-разупорядоченной среде
1. Усиление высокочастотного поля в неупорядоченной диэлектрической среде
2. Фотогальванический эффект в оптически-неупорядоченной среде
III ФГЭ в системах с пространственными ограничения-

§1.ФГЭ в классических пленках
§2.Фотогальванический эффект на свободных носителях в классической пленке
§3.Поверхностный фотогальванический эффект в металле
1. Приближение времени релаксации
2. ФГЭ в чистых металлических пленках при низкой температуре
§4.Фотогальванический эффект в размерно-квантованной системе
1. Фотогальванический эффект в инверсионном канале на вицинальной
• 7 с
грани
2. Экспериментальные результаты и обсуждение
3. Теория
§5. Теория вертикального эффекта Холла в размерно-квантованной си-^ стеме
IV Теория когерентного фотогальванического эффекта
§1. Феноменология КФГЭ
0 §2.КФГЭ в классической области частот
§З.КФГЭ, обусловленный квантовыми поправками
§4.КФГЭ в стекле
§5.Квазистационарный КФГЭ
§6.Фотоиндуцированное понижение симметрии стекла при двухчастот-^ ном освещении

V Электрические, оптические и фотоэлектрические свой-щ ства искривленных квантовых систем
ф §1.Электроны в криволинейных низкоразмерных структурах
§2. Оптические и фотоэлектрические свойства спиральных квантовых проволок
§3.Подавление эффектов спин-орбитального взаимодействия в одномерной системе

VI Квантовые насосы на основе нуль-мерных структур
§1. Теория одномерного квантового насоса на основе двухбарьерной структуры
§2.Индукционный ток в квантовом кольце
VII Заключение

Т = То + Т + Т2 + 3~и, (2.39)

Т0 = Тг = г^(сгГг)(гЛ), (2.40)
^2 = 23-^в(аЛ)(Нк), Ти = а3-{ст[ЧиЛ), (2.41)
с с
Для существования тока вдоль направления поля Н необходима нечетность вероятности перехода как функции продольного импульса р2 (ось г направлена вдоль магнитного поля). Очевидно, что она возникает, если вероятность рассчитана в ненулевом порядке по константе 50, определяющей нецентроинверсность. Мы будем исходить из решения квантового кинетического уравнения вида
= 0, (2.42)
где / - добавка к равновесной функции распределения, - интеграл столкновений электрона с примесями, ва - вероятность генерации,I = (п, р, а) - набор квантовых чисел, характеризующих собственные состояния гамильтониана Но в калибровке А0 = (0, Нх, 0), п - номер уровня,р = (рх,РУ) - импульс электрона, а = ±1 (в дальнейшем для обозначения проекции спина будем использовать знаки + и -). Поскольку мы интересуемся электронными переходами в пределах уровня Ландау п = 0, будем в дальнейшем опускать этот индекс во всех величинах.
Потенциально нечетная по импульсу часть функции распределения, дающая вклад в ток, может возникать вследствие нечетности функции генерации или ве-^ роятпости рассеяния. В пренебрежении взаимодействием с примесями и в первом
порядке теории возмущений асимметричная часть вероятности перехода может возникать за счет интерференции вкладов Т и Т-р.
(2.43)
где I = р, +, р = р', -,
№1 = ^^ев(аУг - 1/2) V- (2.44)