Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
- Автор:
Зибик, Евгений Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
142 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах | Смирнов, Дмитрий Сергеевич | 2017 |
| Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP | Клочков, Алексей Николаевич | 2015 |
| Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs | Субач, Сергей Владимирович | 2001 |