Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
- Автор:
Зибик, Евгений Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
142 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах», автор — Зибик, Евгений Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2001 году. Объем работы: 142 с. : ил. Внутренний код товара: 01000322354. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона | Коханенко, Андрей Павлович | 1999 |
| Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия | Светухина, Ольга Сергеевна | 2004 |
| Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов | Ефремов, Артем Александрович | 2005 |