Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
- Автор:
Осипов, Павел Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками | Каштанкин, Илья Александрович | 2006 |
| Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем | Шляпин, Александр Владимирович | 2002 |
| Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs | Шарирзаев, Тимур Сезгирович | 1998 |