Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Литвинов, Валентин Вадимович
01.04.10
Кандидатская
1985
Минск
204 c. : ил
Стоимость:
499 руб.
СОДЕРлСАНИЕ
ГЛАВА I. РОЛЬ КИСЛОРОДА В ОБРАЗОВАНИИ ТЕРМИЧЕСКИХ И РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ГЕРМАНИИ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
1.1. Основные физические свойства кислорода в германии
1.2. Природа и свойства кислородосодержащих термодоноров
1.2.1. Кинетика образования и структура
1.2.2. Оптические свойства
1.2.3. Спектр энергетических уровней
1.2.4. Долговременные релаксации неравновесной проводимости
1.2.5. Взаимодействие с радиационными
дефектами
1.2.6. О механизме образования термодоноров в германии
1.3. Образование и отжиг кислородосодержащих
радиационных дефектов
1.3.1. Данные ИК-поглощения, ЭПР и фотолюминесценции
1.3.2. Результаты фотоэлектрических измерений
Заключение
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Измерение температурных и временных зависимостей постоянной Холла и проводимости
2.2. Определение параметров дефектов
2.2.1. Расчет температурных зависмостей концентрации носителей (ТЗКЮ
2.2.2. Анализ ТЗКН методом наименьших
квадратов
2.3. Образцы, облучение, термообработка
ГЛАВА 3. ПЕРЕСТРОЙКА КИСЛОРОДОСОДЕРЖАЩИХ ТЕРМОДОНОРОВ КАК ЦЕНТРОВ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ЭФФЕКТИВНОЙ КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ ХАББАРДА
3.1. Природа ДРНП и спектр энергетических
уровней термодоноров
3.2. Перестраивающиеся термодоноры как центры
с отрицательной эффективной корреляционной энергией Хаббарда
3.3. Кинетика ДРНП и ее описание
Заключение
ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ КИСЛОРОДОСОДЕРЖАЩИХ
ТЕРМОДОНОРОВ
4.1. Кинетика накопления
4.2. Радиационное стимулирование процесса образования термодоноров
4.3. О механизме образования и структуре термодоноров в германии
Заключение
ГЛАВА 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ КИСЛОРОДОСОДЕРЖАЩИЕ
РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ГЕРМАНИИ
5.1. Электрические свойства А-центра в германии
5.1.1. Энергетический уровень и кинетика
накопления
5.1.2. Изотермический и изохронный отжиг
5.2. О взаимодействии радиационных дефектов
с термодонорами в германии
5.3. Роль кислорода в образовании электрически активных РД в германии р-типа
5.3.1. Особенности радиационного дефектообразования
в германии р-типа
5.3.2. О природе РД с уровнями Е^+ 0,27,
Е^ + 0,18 и Е^ь 0,13 эВ
Заключение
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
бестигельной зонной плавкой ( &е 3 Л ), а также кристаллы ве < 5ё;0> ( р = 3 Ом.см), специально легированные кислородом
до концентрации ГЛО17 см“3. Рис. 17 показывает, что группа линий рекомбинационного излучения Е|~Ед характерна только для спектров фотолюминесценции облученных кристаллов б'е < и,
вероятно, связана с дефектами, включающими в свой состав атомы кислорода. Полосы Ь^-Ед устойчивы вплоть до 520ч К, а их энергетическое положение близко к линии излучения кислородосодержащих термодоноров (рис. 7) /37/. Это указывало авторам /68/ на близость энергетических уровней дефектов, вводимых при облучении и термообработке &е <0> . Предположено, что тонкая срруктура Ед--Ед связана с различным соотношением стабильных изотопов германия, входящих в состав модельных структур 6е0ц /10/.
1.3.2. Результаты фотоэлектрических измерений
Приведенные в предыдущем подразделе данные оптических исследований указывают на многообразие кислородосодержащих РД в &е . Результаты же изучения электрических свойств этих комплексов менее оцределенны, хотя идентификация их энергетических уровней проводилась многими иоследователями. Так при изучении отжига •у-облученных образцов /г - ве < > при температурах
360 - 465 К наблюдался дефект с энергетическим уровнем Ео-0,09 эВ, концентрация которого не зависела от концентрации сурьмы, но увеличивалась после прогрева образцов на воздухе при 873 К в течение 18 часов /69/. Связь энергетического уровня Ес-0,09 эВ с кислородосодержащим РД была показана и по спектрам примесной фотопроводимости кристаллов 6в < 0> после их облучения электронами с энергией I МэВ при “V 300' К /70/. При этом отмечено, что облучение тех же кристаллов ’ 6е < 0> при 100 К не приводило к введению
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN) | Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович | 2007 |
Перенос заряда по локализованным состояниям в наноструктурах на основе кремния | Степина Наталья Петровна | 2017 |
Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов | Демин, Вячеслав Александрович | 2008 |