Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
- Автор:
Мосин, Юрий Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Орел
- Количество страниц:
97 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп | Румянцева, Анна Игоревна | 1999 |
| Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм) | Гребенщикова, Елена Александровна | 2007 |
| Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта "усталости" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках | Чернышев, Андрей Викторович | 1983 |