Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном

• Автор: Чистохин, Игорь Борисович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 120 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ §1.1 Механизмы неустойчивостей в примесных полупроводниках. Обзор теоретических и экспериментальных работ
§1.2 Методы анализа и обработки экспериментальных данных, применяемые при изучении нелинейных динамических систем
§1.3 Релаксационные процессы в компенсированных высокоомных полупроводниках
§ 1.4 Постановка задачи
ГЛАВА И. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ
§2.1 Методика получения и подготовки объектов исследования
§2.2 Измерение вольтамперных характеристик (ВАХ), релаксационных характеристик и осцилляций тока
§2.3 Методика измерения спектральной зависимости фотопроводимости
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ ТОКА В ФОТОСОПРОТИВЛЕНИИ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕЛЕНОМ
§3.1 Экспериментальные результаты исследования токовых осцилляций
§3.2 Исследование эволюции автоколебаний фототока
§3.3 Анализ кинетики электронных переходов в кремнии, легированном селеном на устойчивость
ГЛАВА IV. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ СЕЛЕНОМ.
§4.1 Электрические переходные процессы в кремнии, легированном селеном.

§4.2 Моделирование фотоэлектрических переходных процессов в компенсированном высокоомном кремнии, легированном селеном
ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
Явления электрических неустойчивостей (срыв тока, спонтанные колебания тока или напряжения) при исследовании полупроводниковых структур обычно наблюдаются, начиная с дрейфовых полей, обеспечивающих слабый разогрев носителей заряда. Как правило, полупроводник с помощью внешних воздействий (света, приложенного напряжения) переводится в состояние, далекое от термодинамического равновесия. Сформированные в сильно неравновесных условиях нелинейные связи между генерационнорекомбинационными процессами [1] - одна из основных причин, вызывающих неустойчивости в полупроводниках.
Поведение носителей заряда в полупроводниках принято описывать с помощью известной системы дифференциальных уравнений (уравнений непрерывности и Максвелла). Поскольку в состоянии, далеком от равновесия и при наличии нелинейностей они не поддаются решению, для анализа приходится привлекать методы, апробированные и используемые в нелинейной динамике. При этом полупроводниковый кристалл рассматривается как динамическая система со сложным поведением (по терминологии И.Пригожина [2]), в которой свободные и захваченные носители, а также электрическое поле представляют собой динамические переменные.
С этой точки зрения наблюдаемые при развитии неустойчивости в полупроводниках явления спонтанного образования пространственных и временных структур схожи с явлениями самоорганизации [2-3], обнаруженными в сложных физических, химических и биологических системах.
Исследования явлений неустойчивости в полупроводниках представляют большой интерес в связи с возможностью создания приборов нового класса, использующих такие свойства систем со сложным динамическим поведением, как внутренний отбор и усиление флуктуаций. В первую очередь это относится к выяснению условий формирования автоколебательных состояний и ;

8 16
Рис.4 «Крючкообразный» фотоотклик в образце БиАв.
I - численный расчет без учета нелинейности ВАХ, 2 - то же, но с учетом нелинейности ВАХ. Точки -экспериментальные результаты.