Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона

• Автор: Бритов, Александр Дмитриевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 300 c. : ил

ОГЛАШЕНИЕ

ГЛАВА I. Катодолюминесценция узкозонных полупроводни

1.1. Некоторые физические свойства твердых растворов халькогенидов свинца-олова
1.2. Электроннолучевая установка и методика исследования
1.3. Излучательная рекомбинация в халькогенидах свинца-олова
1.3.1. Элементы теории спонтанного и вынужденного излучения цри рекомбинации свободных электронов и
дырок
1.3.2. Влияние исходной концентрации носителей и уровня возбуждения на спектр рекомбинационного излучения
1.3.3. Температурная зависимость спектра излучения

1.3.4. Квантовая эффективность узкозонных твердых растворов
1.4. Лазерное излучение халькогенидов свинца-олова
при электронной накачке
1.4.1. Потери при преобразовании энергии накачки в узкозонных полупроводниках
1.4.2. Генерация излучения сульфдца-селенида свинца теллурида и селенида свинца-олова (4-28 мкм)
1.4.3. Излучение изопериодического ряда твердых растворов теллурида-селенида свинца-олова

1.5. Катодолюминесценция теллурида кадмия-ртути
Выводы к главе’ I
Глава II. Лазерное излучение гетероструктур из халькогенидов свинца-олова
2.1. Инжекционные лазеры на узкозонных полупроводниках
2.2. Методика отбора кристаллов и пленок для активной среды*
2.3. Фотоетимулированный метод эпитаксиального выращивания гетероструктур,
2.4. Технология изготовления инжекционных лазеров
2.5. Свойства вынужденного излучения (спектр,поляризация, направленность)
2.6. Порог и мощность лазерного излучения
2.7. Влияние поглощения свободными носителями на генерацию в узкозонных полупроводниках...,
Выводы к главе П
Глава III, Перестройка частоты излучения длинноволновых
инжекционных лазеров и спектрометр на их основе.«
3.1. Классические и линейные лазерные методы ИК спектроскопии.
3.2. Методы перестройки частоты полупроводниковых лазеров
3.3. Исследование перестроечной характеристики
3.3 Л „Температурный сдвиг излучения лазерных диодов с
разным составом активной области...,
3.3.2„Расширение областей плавной перестройки при комбинированном воздействии температуры и магнитного поля. .••••
3.4. Быстродействующий спектрометр высокого разрешения
на инжекционных лазерах

3.4.1. Оптическая схема
3.4.2. Разрешающая способность лазерного спектрометра
при быстрой перестройке частоты
3.4.3. О градуировке лазерного спектрометра
Выводы к главе Ш
ГЛАВА ІУ. Диодная лазерная спектроскопия некоторых высокосимметричных молекул
4.1. О задачах лазерной ИК спектроскопии
4.2. Спектры эталонных газов по сверхвысоким разрешением
4.2.1. Ширина и форма спектральных линий паров воды и аммиака при разных давлениях
4.2.2. Тонкая структура спектра полос поглощения аммиака
и бензола,
4.3. Спектроскопия переохлаященных газов
4.3.1. Особенности спектров молекул с симметрией сферического волчка
4.3.2. Лазерный спектрометр для исследования переохлажденных газов. Методика исследования
4.3.3. Изотопическая структура спектра полосы гексафторида вольфрама ...••••247
Выводы к главе •••••.••
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

В обоих случаях спонтанный контур представлял широкую
~10 мэВ) асимметричную линию с резкой длинноволновой границей и затянутым коротковолновым крылом (рис.15).
Сравнение экспериментальных спектров с теоретическими для междузонной рекомбинацией показало, что наилучшее согласие дает модель переходов с выполнением правил отбора по квазиимпульсу ( вертикальные переходы), из (1.9) и (1.15) получаем:
Реп ((1.23)
В расчетах предполагалось, что эффективные массы электронов и дырок равны /87/ и в зонах имеет место квазиравновесие, то есть функции заполнения состояний и |>.» входящие в (1.23), имеют ВИД, (1.16); / , .
= ( 1 + гкр *т
-юср&аФ-Т

Концентрация неравновесных носителей, создаваемых электронным пучком определялась по формуле /114
п - ./'£ ёкТЗЖо а-24)
где - плотность тока в электронном пучке;
X - время жизни неравновесных носителей;
сС - ширина возбужденной области;
- кинетическая энергия электронов в пучке;
(о о - энергия, необходимая для генерации одной электронно-дырочной пары; & о ~ [
+ 0,5 <б ^ I эВ.