Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца

• Автор: Зверева, Елена Алексеевна
• Шифр специальности: 01.04.09
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 126 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В СПЛАВАХ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА
1.1. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах на основе халькогенидов свинца
1.2. Влияние облучения электронами на свойства сплавов РЬі_х8пх8е иРЬ].х8пхТе
1.3. Влияние легирования примесями с переменной валентностью
на свойства РЬТе и сплавов на его основе
1.4. Особенности легирующего действия галлия в РЬТе и сплавах
на его основе
ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗЦЫ
2.1. Методика измерения гальваномагнитных и фотоэлектрических эффектов
2.2. Методика создания и измерения давления
2.3. Методика облучения быстрыми электронами
2.4. Подготовка образцов к измерениям. Параметры исследованных образцов
ГЛАВА III. ЗОНА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ОБЛУЧЕННЫХ
ЭЛЕКТРОНАМИ СПЛАВАХ РЬ,.х8пх8е(х<0.03)
3.1. Полевые зависимости коэффициента Холла в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением
3.2. Зависимости концентрации дырок от давления в окрестности перехода диэлектрик-металл
3.3. Параметры зоны радиационных дефектов

ГЛАВАIV. ГЛУБОКИЕ УРОВНИ ГАЛЛИЯ В СПЛАВАХ РЬЬхОехТе<Оа>
4.1. Гальваномагнитные эффекты при вариации положения уровня Ферми и состава сплава
4.2. Модель энергетического спектра носителей заряда
ГЛАВА V. ЗАДЕРЖАННАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ И ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ
РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В СПЛАВАХ РЬ,.хОсхТе<Оа>
5.1. Фотоэлектрические явления и кинетика фотопроводимости
при инфракрасной подсветке
5.2. Пик отрицательной фотопроводимости, индуцированный стационарной инфракрасной подсветкой
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ
Исследование энергетического спектра и микроскопической структуры точечных дефектов в кристаллических твердых телах и, в особенности, в полупроводниках является одной из важнейших задач современной физики твердого тела. Примеси и другие точечные дефекты (собственные и радиационные дефекты), в значительной степени модифицируют энергетический спектр полупроводника и позволяют эффективно управлять электрофизическими, оптическими и фотоэлектрическим свойствами исходных кристаллов [1-3]. Облучение быстрыми частицами может кроме того приводить к образованию новых типов дефектов (комплексы, кластеры) не типичных для равновесного состояния кристалла и позволяет получать материалы с новыми физическими свойствами, которых невозможно достичь другими способами [4, 5].
Изучение энергетического спектра и природы радиационных дефектов и примесей в халькогенидах свинца и сплавах на их основе имеет свои специфические особенности, важнейшими из которых являются следующие. Во-первых, эти материалы, как и все полупроводники группы А4Вб, характеризуются значительными отклонениями от стехиометрического состава. Поэтому исходные нелегированные кристаллы имеют высокие концентрации собственных точечных дефектов (Л=10|8-И019 см'3), которые по своей природе близки к первичным радиационным дефектам (вакансии и междоузельные атомы в подрешетках металла и халькогена). Это обстоятельство существенно затрудняет экспериментальные исследования, поскольку требует выделения вклада легирующей примеси и радиационных дефектов в исследуемые параметры полупроводника на фоне вклада собственных структурных дефектов.
Во-вторых, эти полупроводники относятся к классу узкощелевых материалов и обладают малой шириной запрещенной зоны, малыми эффективными массами носителей заряда и высокими значениями диэлектрической проницаемости. Поэтому мелкие водородоподобные уровни дефектов в этих материалах вообще не наблюдаются, а глубокие уровни

Рис.1.7. Температурные зависимости сопротивления РЬТе<Оа>)(1, Г) и РЬо.758п<) 25Те<1п> (2,2'), измеренные в условиях экранирования образцов от фонового излучения (1,2) и при ИК подсветке (Г,2').