Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlGa As структур
- Автор:
Лунин, Роман Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.09
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
178 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlGa As структур», автор — Лунин, Роман Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.09. Работа подготовлена в городе Москва в 1999 году. Объем работы: 178 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000210325. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Транспортные свойства носителей тока в слоях квантовых точек в структурах на основе InAs/GaAs | Голиков, Артем Викторович | 2001 |
| Тепловое расширение молекулярных криокристаллов | Толкачев, Анатолий Михайлович | 1984 |
| Экспериментальное и расчетное определение интенсивности тепло- и массообмена при конденсации бинарных смесей криоагентов | Алексеев, Тарас Александрович | 1984 |