Электронные кинетические явления в полупроводниковых и ВТСП соединениях с примесями замещения и собственными дефектами

• Автор: Пономарев, Анатолий Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 361 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение
Глава I. Электронный спектр бесщелевых и узкощелевых
полупроводников (обзор)
1Л Зонная структура Н§Те и Н§Бе
1.2 Энергетический спектр бесщелевых полупроводников
вблизи центра зоны Бриллюэна
1.3 Собственные дефекты в халькогенидах ртути
1.4 Изовалентные примеси замещения в халькогенидах ртути
Глава II. Методика эксперимента
2.1 Исследование гальваномагнитных эффектов в
импульсном магнитном поле
2.2 Исследование гальваномагнитных эффектов в
постоянном магнитном поле
2.3 Измерение термоэдс
2.4 Подготовка полупроводниковых образцов к измерениям
2.5 Подготовка ВТСП образцов к измерениям
2.6 Погрешности определения измеряемых величин
Глава III. Определение зонных параметров ЩЗе и Щпе из
осцилляций Шубникова-де Гааза (Ш-Г)
А : Квантовая теория гальваномагнитных явлений
З.А1. Магнитосопротивление в квантующих магнитных полях
З.А2. Методы определения зонных параметров из осцилляций Ш-Г
В : Определение зонных параметров Бе
3.В 1. Определение концентрации электронов и температуры Дингла
З.В2. Определение g - фактора электронов проводимости
3 .ВЗ. Сравнение экспериментальных значений g - фактора
электронов с результатами теории (учет влияния удаленных
зон)

С : Определение зонных параметров Hgi_xZnxSe
3.С 1. Определение температуры Дингла и её зависимости от
концентрации электронов проводимости
З.С2. Определение эффективной массы электронов в зависимости от концентрации электронов и от содержания Zn
в Hg,.xZnxSe
З.СЗ. Определение g-фактора электронов в Hgi.xZnxSe при
переходе из бесщелевого состояния в состояние с открытой щелью
Г лава IV. Примесные состояния, энергетический спектр разбавленных
магнитных полупроводников
4.1 Специфика Мп как примеси замещения в полупроводниках А„Ву,
4.2 Энергетический спектр разбавленных магнитных полупроводников (РМП)
4.3 Примесные состояния в немагнитных твердых растворах
на примере Hgi.xCdxTe
4.4 Особенности примесных состояний в Hg].xMnxTe
4.5 Магнитные свойства РМП
4.6 Гальваномагнитные явления в р-Hgi.xMnxTe
4.7 Гальваномагнитные явления в Hg!.xMnxSe
Глава V. Явления переноса в разбавленных магнитных
полупроводниках
5.1 Особенности эффекта ШГ в Hgi_xMnxSe
5.2 Гальваномагнитные явления в бесщелевом р-Hg(.xMnxTe
5.3 Гальваномагнитные явления в Hgi.xMnxTei.ySey
5.4 Магнитная восприимчивость Hg].xMnxTei.ySey
Глава VI. Электронные свойства высокотемпературных
сверхпроводников (ВТСП)
6.1 Введение
6.2 Фазовая диаграмма и электронная кристаллическая
структура медно-оксидных СП

6.3 Свойства нормального состояния ВТСП
Глава VII. Термогальваномагнитные эффекты и релаксационные
явления в дырочном La2-xSrxCu04
7.1 Влияние содержания Sr в La2.xSrxCu04 на поведение
сопротивления и термоэдс при Т > Тс
7.2 Влияние магнитного поля на сопротивление и термоэдс в
La2-xSrxCu04 при Т < Тс
7.3 Релаксация остаточного сопротивления в La2.xSrxCu04
7.4 Особенности поведения намагниченности в La2-xSrxCu04
7.5 Обсуждение результатов
Глава VIII. Кинетические явления в поли- и монокристаллическом
Nd2.xCexCu04
8.1 Кинетические явления в поликристаллических образцах
Ndi.85Ceo.i5Cu04_g
8.2 Анизотропия сопротивления и термоэдс монокристалла
Ndi.85Ceo.i5Cu04_a
8.3 Двумерные свойства монокристалла Ndi.85Ce0.i5CuO4.g
8.4 Влияние магнитного поля на сверхпроводящий переход
в монокристалле Ndi.85Ce0.i5CuO4
Заключение
Литература

(2-1)
где Я и С - сопротивление и емкость интегратора, п и 5 - число витков и
л с Ш
сечение измерительной катушки, ивх = т — - напряжение на входе
интегратора. Для определения численного значения 1/вых через те же интегратор и усилитель от звукового генератора подавался калибровочный сигнал определенной частоты.
Напряженность поля рассчитывалась по формуле [2-7]
где Н в кЭ, п - число витков измерительной катушки, 5 - площадь витка в см2, у - величина сигнала с измерительной катушки, ук - величина калибровочного синусоидального сигнала после интегратора, / - частота калибровочного сигнала в Гц. В нашем случае калибровка магнитного поля производиоась при помощи трех измерительных катушек с различным числом витков. На калибровочный график наносилось значение напряженности магнитного поля, полученное усреднением значений магнитного поля с трех калибровочных катушек, при одном и том же зарядном напряжении батареи конденсаторов. В магнитных полях до 7 Т импульсные соленоиды дополнительно калибровались по положению пиков осцилляций ШГ, измеренных на образцах Н§8е в сверхпроводящем соленоиде.
Максимальная относительная погрешность в определении величины магнитного поля, получаемого в импульсных соленоидах, составляла 6%.
Регистрирующая система, применяемая в данной работе, позволяла за один импульс зарегистрировать измеряемый сигнал как функцию магнитного поля от нуля до максимального значения. На вертикальные пластины осциллографа подавался усиленный сигнал исследуемого эффекта, а на горизонтальные пластины - сигнал, пропорциональный величине
(2-2)