Микроскопическая природа диэлектрических аномалий, сегнетоэлектрической неустойчивости решетки и спонтанной поляризации в кристаллах

• Автор: Квятковский, Олег Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 236 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ДИПОЛЬ-ДИПОЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В ДИЭЛЕКТРИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ВЛИЯНИЕ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА И ДИНАМИКУ РЕШЕТКИ
§1.1. Общая теория
§ 1.2. Вклад регулярной при q=o части межьячеечного
диполь-дипольного (d-d) взаимодействия в электронную восприимчивость X
§ 1.3. Вклад регулярной при q = о части межьячеечного

D-D взаимодействия в ee(q) и е®
§ 1.4. Вклад межьячеечного d-d взаимодействия в тензор
Борна эффективного макроскопического заряда
§ 1.5. Вклад регулярной при q-»o части межьячеечного D-D
взаимодействия в матрицу силовых постоянных
§ 1.6. Учет энгармонизма. Конечные температуры
ГЛАВА II. КВАНТОВАЯ МИКРОСКОПИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ СПОНТАННОЙ
ПОЛЯРИЗАЦИИ И ПОЛЯРИЗАЦИОННЫХ ВОЛН В КРИСТАЛЛАХ
§ 2.1. Объемная часть макроскопической поляризации в
нулевом электрическом поле
§ 2.2. Изменение макроскопической поляризации при
адиабатически медленном изменении состояния
кристалла
§ 2.3. Спонтанная поляризация в сегнетоэлектриках
§ 2.4. Поляризационные волны в кристаллах. Метод
длинных волн
§ 2.5. Квантовая теория линейного отклика электронной
плотности заряда и поляризации
§ 2.6. Сравнение с классической теорией

ГЛАВА III. П0ЛНРИЗАЩ0ННЫИ МЕХАНИЗМ СЕГНЕТ03ЛЕКТРИЧЕСК0И
НЕУСТОЙЧИВОСТИ РЕШЕТКИ В КРИСТАЛЛАХ
§ 3.1. Влияние межьячеечного dd взаимодействия на
спектр и форму полярных поперечных оптических
колебаний решетки
§ 3.2. Влияние межъячеечного dd взаимодействия на силы
осцилляторов и диэлектрическую проницаемость
§ 3.3. Природа сегнетозлектричества в соединениях
со структурой перовскита и рутила
§ 3.4. АЪ initio расчеты тензора градиента электричес-
кого поля в позициях атомных ядер и вклада близкодействия в атомные силовые постоянные для
соединений со структурой перовскита и рутила
§ 3.5. Природа сегнетозлектричества в соединениях A3VBVI
§ 3.6. Влияние ковалентной составляющей химической связи
на устойчивость полярных то мод в кристаллах
§ З.Т. Зависимость температуры сегнетоэлектрического
фазового перехода Тс в теллуриде олова Sni Jle от состава: влияние вакансий олова и свободных носителей тока на є и т

ГЛАВА IV. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРИТИЧЕСКИХ ТОЧЕК ЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРА ПО КОНЦЕНТРАЦИОННЫМ И ТЕМПЕРАТУРНЫМ
ЗАВИСИМОСТЯМ МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ
§ 4.1. Концентрационные зависимости магнитной
восприимчивости вблизи критических
точек электронного спектра
§ 4.2. Температурные зависимости магнитной
восприимчивости вблизи критических
точек электронного спектра

ГЛАВА 7. §
§ 5.2.
§ 5.3.
ГЛАВА VI.
§ 6.1 §
СТРОЕНИЕ ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ СОЕДИНЕНИИ А3 УВУ1
Спектр дырок в области больших концентраций носителей тока в соединениях А1УВУ1
Магнитная восприимчивость дырок в х- и д-экстремумах валентной зоны соединений А1УвУ1.. Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова
РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ ДЛЯ ЭФФЕКТИВНОГО ПОПЕРЕЧНОГО МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ НЕОДНОРОДНОЙ ПРОВОДЯЩЕЙ
СРЕДЫ
Общая теория
Размерный эффект

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
Л И Т Е Р А Т У Р А
Расположение рисунков: #1 - с.28; #2 - с.29; 1 - с.136; 2 -
3.1,3.2 - с.149; 4 - с.163; 5 - с.171; 6 - с.173; 7 - с.174;
8 - с.179; 9 - с.187.
Расположение таблиц 1 - с.100; 2-101; 3 - с.111; 4А - с.113;
4.В - с.114; 5А - с.116; 5В - с.117; 6 - с.121; 7,8 - с.126;
9 - с.128; 10 - с.133; 11 - с.170.

макроскопическое поле и соответствующими локальными, микроскопическими величинами, характеризующими реакцию среды на локальное действующее поле. В ряде случаев переход от микроскопического описания к макроскопическому требует выхода за рамки приближения среднего поля, т.к. учет пространственных флуктуаций действующего поля (отличия локального поля от среднего) является необходимым для объяснения явления или приводит к качественно новым эффектам.
Такая ситуация реализуется в рассмотренной выше задаче о микроскопической природе диэлектрических аномалий и сегнетозлектри-ческой неустойчивости в кристаллах, поскольку при поперечных оптических колебаниях решетки макроскопическое (продольное) поле не возникает и их устойчивость полностью определяется локальными полями, которые, в свою очередь, определяются микроскопической электронной диэлектрической проницаемостью кристалла.
Другим важным примером является задача о проводимости неоднородной среды с крупномасштабными, хотя и малыми по сравнению с размерами системы неоднородностями, технологического или статистического происхождения. Наличие локальных неоднородностей приводит к тому, что даже в однородном внешнем поле в среде возникает неоднородное действующее поле. Отличие локального поля от среднего вызывает изменение картины протекания тока в среде. Возникающие поправки к среднему току <;}> можно приводят к отличиею эффек-

тивной проводимости среды ве от усредненной по объему локальной
АЛА А
проводимостью <б>: єе=<є> + 5бе. Вычисление поправок на неодноро-

дность 56е представляет большой как теоретический (при интерпретации наблюдаемых свойств материалов), так и практический (с точки зрения влияния несовершенства материала на его свойства) интерес, что и обусловливает актуальность этой задачи.