Примесные состояния меди в фосфиде индия

• Автор: Сушков, Сергей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 115 с.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение
ГЛАВА 1. ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ, СОЗДАВАЕМЫЕ МЕДЬЮ, В ФОСФИДЕ ИНДИЯ И ДРУГИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ А3В5
1.1. Энергетический спектр уровней меди в 1пР
1.2. Влияние меди на электрические и оптические свойства 1пР
1.3. Примесные состояния меди в других полупроводниках
А3В5
1.4. Выводы по первой главе
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика подготовки и получения образцов 1пР:Си
2.2. Методика измерения эффекта Холла
2.3. Методика измерения спектров фотопроводимости и электролюминесценции
2.4. Оценка погрешностей измерений. 39 ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА ФОСФИДА ИНДИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО
МЕДЬЮ
3.1. Электрофизические свойства 1пР:Си
3.2. Примесная фотопроводимость 1пР:Си
3.3. Собственная фотопроводимость 1пР:Си
3.4. Одновременное воздействие двух световых потоков на
1пР:Си
3 .5. Модель амфотерного центра меди в фосфиде индия
ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ 1пР:Си
4.1. Расчёт параметров модели центра меди в 1пР:Си
4.2. Моделирование электрофизических параметров 1пР:Си при различных условиях легирования
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы. В связи с развитием твердотельной оптоэлектроники и инфракрасной техники, значительно усилился интерес к оптическим и электрофизическим свойствам полупроводников, определяемым, как правило, присутствием примесей, создающих глубокие уровни в полупроводниковой матрице.
Среди примесей, создающих глубокие уровни в запрещённой зоне соединений А3В5, особое место занимают элементы переходной группы железа. Особенность их поведения в соединениях А3В5 заключается в том, что электроны внутренней Зй-оболочки могут вступить в химическую связь. При этом в Зй-оболочке образуются дырки, которые могут переходить в валентную зону при оптическом или термическом возбуждении материала р-типа. В материале п-типа (при определённых условиях) примесные атомы переходных элементов могут выступать в качестве фотоочувствляющих центров, обеспечивая высокую фоточувствительность полупроводниковых материалов. Высокая фоточувствительность материалов с глубокими уровнями позволяет использовать их в качестве приёмников излучения. При этом, особое внимание уделяется исследованиям этих примесей в широкозонных соединениях А3В5 таких, как ОаАз, ваР и 1пР - наиболее перспективных при создании изделий оптоэлектроники для видимого и инфракрасного диапазонов. К числу примесей, создающих глубокие уровни в перечисленных соединениях А3В5 и придающих им наиболее интересные фотоэлектрические свойства, относится медь. Оптические и фотоэлектрические свойства примеси меди позволяют, например, успешно использовать GaP.Cn для изготовления промышленных фотоприёмников.
Фосфид индия в настоящее время известен как материал для диодов

Рис. 2.2. Блок-схема установки для измерения спектров фотопроводимости СДЛ-2. Обозначения по тексту.