Неравновесный прыжковый транспорт и рекомбинация носителей заряда в неупорядоченных органических материалах

• Автор: Никитенко, Владимир Роленович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 256 с. : ил.

Глава 1. Неравновесный прыжковый транспорт носителей заряда в
неупорядоченных органических материалах
§1.1 Методы теоретического описания прыжкового транспорта носителей
заряда в неупорядоченных органических материалах
§1.2 Теоретическая модель неравновесного прыжкового
транспорта в режиме термоактивированных прыжков
§1.2.1 Прыжковая энергетическая релаксация неравновесных
носителей заряда
§1.2.2 Уравнение неравновесного прыжкового транспорта
в режиме термоактивированных прыжков
§1.3 Переходный ток в условиях времяпролётного эксперимента
§1.3.1 Экспоненциальное энергетическое распределение
ловушек
§1.3.2 Немонотонный энергетический спектр ловушек
§1.3.3 Неравновесный дрейф и стимулированная полем диффузия носителей заряда в случае гауссовского распределения
ловушек
§1.3.4 Переходный ток. Особенности квазидисперсионного режима
транспорта носителей заряда
§1.4 Приближение сильно неравновесного транспорта (г-модель)
§ 1.4.1 Прыжковая релаксация в случае низких температур; соотношение между дисперсией и дрейфовым сдвигом
носителей заряда
§1.4.2 Режим термоактивированных прыжков
§1.5 Диффузия, стимулированная переменным полем
§1.5.1 Режим квазиравновесного транспорта
§1.5.2 Режим сильно неравновесного транспорта
Глава 2. Кинетика геминальной рекомбинации в режиме дисперсионного
транспорта носителей заряда
§2.1 Постановка задачи
§2.1.1. Уравнение Смолуховского в дисперсионном режиме
транспорта и граничные условия
§2.1.2. Качественный анализ кинетики геминальной
рекомбинации
§2.2 Низкотемпературная кинетика геминальной рекомбинации
(бездиффузионное приближение)
§2.2.1. Аналитические решения уравнения Смолуховского
§2.2.2. Низкотемпературный ток поляризации
геминальных пар

§2.2.3. Низкотемпературная кинетика люминесценции
§2.2.4. Неравновесный фото- и радиационно- диэлектрический
эффект
§2.3 Температурная зависимость кинетики геминальной
рекомбинации- точные и приближённые решения
§2.3.1. Случай одномерной проводимости
§2.3.2. Случай изотропной проводимости
§2.4 Переходный ток, контролируемый геминальной рекомбинацией
§2.4.1. Изотропная проводимость (слабое поле)
§2.4.2. Одномерная проводимость
§2.5. Случай поверхностной генерации геминальных пар
§2.5.1. Изотропная проводимость
§2.5.2. Одномерная проводимость
§2.6 Температурная зависимость кинетики люминесценции,
контролируемой геминальной рекомбинацией
§2.7 Вероятность разделения пары (квантовый выход)
§2.7.1 Анизотропная проводимость
§2.7.2 Влияние туннельных прыжков
Глава 3. Особенности нестационарной радиационной электропроводности
(НРЭ) неупорядоченных полимеров
§3.1 Переходный ток: низкий уровень генерации
§3.2 Переходный ток: высокий уровень генерации
§3.3 Нестационарная радиационная электропроводность
при наличии центров захвата
§3.4 Нестационарная радиационная электропроводность и
геминальная рекомбинация
§3.4.1 Геминальная рекомбинация и переходный ток:
ланжевеновский режим
§3.4.2 Кинетическая заторможенность геминальной рекомбинации:
эмпирические основания и физический механизм
§3.4.3. Особенности кинетически заторможенной геминальной
рекомбинации
§3.4.4. Кинетически заторможенная геминальная рекомбинация
и радиационная электропроводность на переменном токе
§3.5. Геминальная рекомбинация и переходный ток:
сильное поле
Глава 4. Электролюминесценция в тонких слоях неупорядоченных
органических материалов
§4.1 Нестационарная электролюминесценция (ЭЛ) в двухслойных
структурах
§4.1.1 Модель нестационарной ЭЛ в режиме, ограниченном
инжекцией
4.1.2 Характерные времена установления ЭЛ в режиме,
ограниченном инжекцией
§4.1.3. «Ступенчатое» установление ЭЛ
§4.1.4 Характерные времена установления ЭЛ в режиме тока основных носителей, ограниченного пространственным
зарядом
§4.1.5. Эффект вспышечной ЭЛ после выключения приложенного
поля в двухслойных структурах
§4.2 Стационарная (установившаяся) ЭЛ в двухслойных
структурах
§4.2.1 Режим ЭЛ, ограниченной инжекцией
§4.2.2 ЭЛ в режиме тока, ограниченного пространственным
зарядом (основные носители)
§4.2.3 ЭЛ в режиме тока, ограниченного пространственным
зарядом (оба типа носителей)
§4.3 Нестационарная ЭЛ в однослойных структурах
§4.3.1 Эффект вспышечной ЭЛ после выключения приложенного
напряжения в однослойных структурах
§4.3.2 Кинетика спада интенсивности ЭЛ после выключения
приложенного напряжения
Заключение
Список цитируемой литературы

предельный переход УЙ->у0ог/(1 + а), у0( «1, (модель НТ приводит к величине, которая в 2 раза меньше), именно модель НТ на важнейшем практически временном интервале > 1 даёт хорошее согласие с результатом численного решения уравнений РФВ (1.1.5), (1.1.6) [40], см. кривую 1 на рис. (1.3.2), в отличие от СНТ. Последняя модель даёт ложный
максимум при IV - ^ который, впрочем, практически незаметен в случае а <0.5. При ^ >^тіп НТ-приближение (как и численное решение уравнений РФВ) сходится к асимптотически точному аналитическому выражению (1.3.19) [26]. Пунктирные кривые на рис. (1.3.2),
Рис. 1.3.2 Сравнение результатов различных моделей на начальном интервале времени в случае а = 0.9. Значения других параметров те же, что и на Рис.(1.3.1) 1-результат численного решения уравнений РФВ [40], 2- модель НТ, 3- СНТ, 4-асимптотический закон (1.3.18).
представляющие результат счёта по приближённому ур-ю НТ- модели
(1.3.26), дают, как и следовало ожидать, практически точное совпадение с результатом более точных уравнений (1.3.6), (1.3.9), (1.3.10) при іу > 3.
Наконец, на рис. 1.3.3 сравниваются результаты вычислений при и0/»1 для а- 0.5, 0.7 и 0.9 в НТ- модели с учётом СПД, см. ур-я (1.3.5), (1.3.11), (1.3.12), (сплошные кривые), более точной (ур-я (1.3.8), (1.3.26) и
(1.3.27)) и приближённой (ур-я (1.3.15)-(1.3.18)) бездиффузионных моделей