Влияние микролегирования меди иттрием на эффекты заколочного и деформационного упрочнения

• Автор: Беленко, Игорь Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Белгород
• Количество страниц: 148 с. : ил.

Введение
Содержание

Глава 1. Механизмы упрочнения меди
1.1. Пути повышения прочности кристаллов
1.2. Закалочное упрочнение меди
1.3. Радиационное упрочнение меди
1.4. Программное упрочнение меди
1.5. Влияние легирования и микролегирования на механические свойства и проводимость меди
1.6. Механико-термическая обработка меди
Глава 2. Объекты и методы исследования
2.1. Основные характеристики исследованной чистой и микролегированной меди
2.2. Обоснование выбора образцов и их подготовка к исследованиям механических свойств
2.3. Установка для механических испытаний и исследования релаксации напряжений
2.4. Установка для измерения электросопротивления
2.5. Приборы и методы исследования структуры чистой и микролегированной меди
Глава 3. Изменение структуры и свойств при отжиге
деформированной чистой и микролегированной меди
3.1. Влияние деформации и отжига на механические
свойства чистой и микролегированной меди
3.2. Зависимость предела текучести исследованной меди от величины зерна
3.3. Электропроводность чистой и микролегированной меди
3.4. Изменение размера зерна от температуры отжига деформированных образцов меди
3.5. Влияние скоростного неизотермического отжига на структуру чистой и микролегированной меди
3.6. Электронномикроскопические исследования структурнофазового состояния чистой и микролегированной меди 107 Выводы к главе
Глава 4. Влияние закалки и облучения на свойства чистой и
микролегированной иттрием меди
4.1. Влияние температуры и скорости закалки на эффекты закалочного упрочнения чистой меди
4.2. Влияние микролегирования меди иттрием на эффекты закалочного упрочнения
4.3. Радиационное распухание чистой и микролегированной иттрием меди
Выводы к главе
Заключение
Использованная литература
Приложение

Введение
Актуальность темы: Развитие многих отраслей современной
техники, таких, как атомная энергетика, авиация, ракетостроение, электроника и др. невозможно без создания материалов с новыми, улучшенными свойствами. Поэтому проблема упрочнения металлов была и остается актуальной и требует расширения объема фундаментальных и прикладных исследований по физике прочности и пластичности кристаллических тел.
Объяснение причин аномально низкого значения прочности реальных кристаллов, создание физических основ теории пластической деформации и упрочнения металлов, создание технологии новых способов получения и обработки высокопрочных конструкционных материалов стало возможным только благодаря учету роли дефектов и внутренних напряжений в реальных кристаллах.
Теоретические и экспериментальные результаты исследования влияния температуры и деформации, структурного и субструктурного состояния на процессы зарождения дислокаций, сопротивление их движению в дефектных кристаллах позволяют утверждать, что создание мелкодисперсной структуры с большой плотностью дислокаций и точечных дефектов, а также диффузионная и микросдвиговая релаксация внутренних напряжений приводит к улучшению целого комплекса физико-механических свойств металлов с ГЦК-решеткой.
Низкая прочность реальных кристаллов обусловлена наличием дефектов структуры и малыми критическими напряжениями движения дислокаций. Пластическая деформация, особенно при повышенных температурах, контролируется в значительной мере различными механизмами взаимодействия точечных дефектов с дислокациями. В связи с этим исследования металлов с неравновесной концентрацией точечных

Анализ большого количества данных, полученных при облучении различными частицами и излучениями, показывает, что зависимость величины предела текучести и микротвердости кристаллических тел от дозы облучения в температурной области 0,2 - 0,3 Тпл схематически можно представить в виде сложной немонотонной кривой (рис. 1.13.).
(Т т
Рис. 1.13. Обобщенная схема изменения предела текучести кристаллов с ростом дозы облучения [56]: 1 - инкубационный период; 2,3 - области слабого упрочнения или разупрочнения; 4 - область возникновения комплексов межузельных атомов; 5 - область зарождения дислокационных петель, микропор и частиц выделений; 6 - область насыщения всех микроструктурных компонент радиационного упрочнения; 7 - область разрушения из-за образования больших пор и микротрещин.
Неизменно существует начальный инкубационный период по дозе облучения, когда еще изменение предела текучести не обнаруживается. Начиная с некоторой пороговой дозы облучения, для большинства кристаллов наблюдается вначале слабое, а затем существенное повышение предела текучести. В некоторых случаях отмечается снижение критических скалывающих напряжений, когда в процессе облучения либо разрушаются имеющиеся в исходной структуре барьеры для движущихся