ЭПР и закономерности распределения парамагнитных точечных дефектов в кристаллах

• Автор: Низамутдинов, Назым Минсафович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 183 с. : ил.

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Представление точечных кристаллографических групп
подстановками и применение их в исследовании методом ЭПР
1.1. Трансляционная и ориентационная эквивалентность позиций в кристаллах. Группы и типы позиций. Смежные и двойные смежные классы
1.2. Снятие ориентационного вырождения позиций и разбиение правильной системы точек в кристаллах при понижении точечной симметрии
1.3. Представление подгрупп точечных кристаллографических
групп группами подстановок
1.4. Схемы снятия ориентационного вырождения позиций в кристаллах в случае инвариантных групп и подгрупп
1.5. Схемы наложения сопряженных спектров ЭПР монокристалла в зависимости от типа его ориентации
в однородных внешних полях
1.5.1. Схемы наложения спектров ЭПР монокристаллов
во внешнем магнитном поле
1.5.2. Схемы наложения спектров ЭПР монокристаллов
во внешних магнитных и электрических полях
1.6. Нарушение эквивалентности ядер относительно парамагнитного центра в кристалле во внешнем магнитном поле
ГЛАВА 2. Исследование диссимметризованных кристаллов методами
теории групп и ЭПР
2.1.Теоретико-групповое изучение диссимметризованных кристаллов

2.2. Выбор пирамид роста граней с одинаковой узловой сеткой
при изучении диссимметризации кристаллов методом ЭПР
2.2.1. Постановка задачи
2.2.2. Теоретико-групповой метод вывода сопряженных простых
форм кристаллов из голоэдрических форм
2.2.3. Сопряженные простые формы кристаллов кубической сингонии
2.2.4. Сопряженные формы кристаллов тригональной (ромбоэдрической) сингонии
2.3. Сростки кристаллов с одинаково ориентированными пространственными решетками и возможности их обнаружения методом ЭПР
2.4. Тангенциальная селективность захвата примесных ионов
в кристаллах по спектрам ЭПР
2.4.1. Селективное распределение ионов Си2+, Сс13+, У4+
в монокристаллах ЫагСбОдЬ-ЗНгО
2.4.2. Селективное распределение ионов Си2+ в монокристаллах 2п8е04-6Н20
ГЛАВА 3. ЭПР ионов основного Б-состояния. Анализ тензоров
спинового гамильтониана и кристаллического поля
3.1. Преобразование эрмитовых тензоров при вращении
системы координат на углы (а,Р,у) Эйлера
3.1.1. Системы ненормированных и нормированных спиновых операторов в разложении спинового гамильтониана
3.1.2. Вывод формул преобразования эрмитовых тензоров
при вращении системы координат
3.2. Метод максимальных инвариантных компонент
тензоров СГ
3.2.1. Принцип нахождения максимальной тензорной компоненты

заданной симметрии в неприводимом тензоре
3.2.2. Анализ тензора ранга Ь = 4 при С8
3.2.3. Анализ тензора ранга Ь = 6при
3.2.4. Анализ тензора В2 СГ
3.3. Метод указательной поверхности тензора
3.3.1. Определение указательной поверхности тензора Вх, СГ
3.3.2. Метод МИК - способ сопоставления указательных поверхностей. Топология указательной поверхности
3.4. Связь тензоров СГ ранга Ь = 2и Ь = 4 с параметрами кристаллического поля
3.4.1. Неприводимые тензоры кристаллического поля и их неприводимые тензорные произведения
3.4.2. Связь тензора В2 СГ с тензорами КП
3.4.3. Зависимость тензора В4 СГ оттензоров КП
3.5. Сопоставление тензоров СГ Мп2+ и тензоров КП
3.5.1. Мп2+ в монокристаллах 2п8е04-6Н20
3.5.2. Мп2+ в кристаллах тригональных карбонатов
3.6. Сопоставление тензоров СГ Ге3+ и КП в кристаллах
3.6.1. Ге3+ в монокристаллах кальцита и доломита
3.6.2. Ге3+ вУ3А15012
3.6.3. Ге3+ в монокристаллах 1л2Се7015
а) ЭПР и СГ Ге3+ в пара- и сегнетоэлектрических фазах
б) Анализ тензоров СГ Ге3+ (1) и КП в позиции Се4+(1)
в) Анализ тензоров СГ Ге3+ (2) и КП в позиции Се4+(2)
г) Анализ тензоров СГ Ге3+ (3) и КП в позиции Ое4+(3)
д) Анализ тензоров СГ Ге3+ (4) и КП в позиции ве4+(4)
3.6.4. Ее3+ в монокристаллах ЫСаАШб и ЫЗгАШб
3.6.5. Ге3+ в монокристаллах УАЮз

схемы наложения спектров ЭПР кристаллов для 11 центросимметричных групп с Ок = Ок1 и Оа= С, [ 9 ]. В качестве примера в таблице 2 приведены схемы наложения сопряженных спектров ЭПР кристаллов класса Лауэ Э#,. Таблица!.Схемы наложения спектров ЭПР в кристаллах класса Лауэ
Кш=ТКе«-
5, Типы направлений кристаллов
00х хОО ххо хОг ххг хуо хух
О 41, П4к О 21, С 21, С 21, С21,
Кам оси о4 в4 о2 Г>2 с2 с2 с2 с,
О 2,1 Е>2а о2 с> с2 с, С2 С]
с4. с4. сл с> с, с, с2 С1
1 +++ (++)+ 1)41, о4 О2,1 с4. 1 1 1 1
2 - - + С4/, с4 & с4 2 2 2 2 2
2 + + + Е>21 В2 о2 с2У 2 1-2 2 1-2 2
2 (++)+ Е*2Н о2 С2у с* 2 2 1-2 2 1-2
4 + - - С2и с2 С2 с, 4 2-2 4 1-2+2 2-2
4 (+)-- С21, с2 С, с, 4 4 2-2 2-2 1-2+2
4 - - + С2И с2 С2 4 2-2 2-2 2-2 2-2
8 - - - С, С; с, С; 8 4-2 4-2 2-4 2-4
В первом столбце таблицы 2 указаны КаМ - магнитные кратности; во втором - оси симметрии и нормали плоскостей симметрии группы позиции Оа относительно в третьем, четвертом, пятом и шестом столбцах приведены
группы Са. В остальных столбцах сверху указаны типы направлений, соответствующие группы Ср = Ск!гпт для каждой Ок и приведены схемы наложения спектров ЭПР парамагнитных центров.