Электронное строение и физические свойства тонких пленок металл-кремний

• Автор: Юраков, Юрий Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 250 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ
ТОНКИХ ПЛЕНОК
1.1. Методы получения тонких пленок
1.1.1. Сравнительный анализ
1.1.2. Методики, использовавшиеся в работе
1.1.3. Характеристика объектов исследования
1.2. Методы исследования тонких пленок
1.2.1. Методы, использовавшиеся в работе
1.2.1.1. Рентгеновская дифракция
1.2.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия
1.2.1.3. Оже-электронная спектроскопия
1.2.1.4. Рентгеновская спектроскопия
1.2.1.4.1. Физические основы метода
1.2.1.4.2. Методики рентгеновской спектроскопии
1.2.1.4.3. Закономерности распыления многокомпонентных мишеней
при бомбардировке низкоэнергетическими ионами
1.2.1.4.4. Удаление слоев при анализе методом УМРЭС
1.2.1.5. Удельное сопротивление тонкоплёночных силицидов
1.2.1.6. Высота барьеров Шоттки
1.3. Выводы
ГЛАВА 2. СОСТАВ И СТРУКТУРА СЛОЕВ ПЕРЕХОДНЫЙ
МЕТАЛЛ - КРЕМНИЙ
2.1. Закономерности образования и роста тонкопленочных силицидов переходных металлов
2.1.1. Общие сведения об образовании силицидов
2.1.2. Кинетический механизм формирования силицида

2.1.3. Предсказание первой зарождающейся фазы.
Аморфный слой (а-слой)
2.1.4. Последовательность формирования фаз в системе металл-кремний
2.1.5. Формирование границы металл - кремний в условиях сверхвысокого вакуума
2.2. Образование фаз в структуре тонкая пленка
металла / монокристалл кремния
2.2.1. Структура Ti/Si
2.2.2. Структура Co/Si
2.2.3. Структура Ni/Si
2.2.4: СтруктураNi(Ti)/Si
2.2.5. Структура Mo/Si
2.2.6. Структура Pt/Si
2.3. Формирование силицидов никеля в процессе жидкофазной
металлизации кремния
2.4. Выводы
ГЛАВА 3. ОБРАЗОВАНИЕ И СТАБИЛЬНОСТЬ СИЛИЦИДОВ
В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ M/Si02/Si
И (М - Si)/Si02/Si (М - МЕТАЛЛ)
3 .1. Закономерности образования силицидов в тонкопленочных
структурах M/Si02/Si
3.2. Формирование фаз в тонкопленочных структурах
M/Si02/Si (М - Al, Ті, Сг, Mo)
3.2.1. Структура Al/Si02/Si
3.2.2. Структура Ti/Si02/Si
3.2.3. Структура Cr/Si02/Si
3.2.4. Структура Mo/Si02/Si
3.3. Образование фаз в тонкоплёночных структурах

М-Бь ЗКЬ'З! (М - V, Со, Сг)
3.3.1. Структура УЦн/БЮг/Б!
3.3.2. Структуры Со-БЫЗЮг/Ы и Со-Сг-БЕЗЮг/Б!
3.4. Термическая стабильность силицидов в тонкоплёночной
структуре БЮг/ (М - И, V, Со)
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ТОНКОПЛЁНОЧНЫХ
СИЛИЦИДОВ
4.1. Закономерности электронного строения объёмных
силицидов переходных металлов
4. 2. Электронное строение тонких плёнок и границ
металл - кремний
4.3. Электронное строение некоторых тонкоплёночных силицидов
4.3.1. Силицид титана Т181г (С-54)
4.3.2. Силицид ванадия У812
4.3.3. Силицид хрома Сгз81
4.3.4. Силицид кобальта Со812
4.3.5. Силицид кобальта Со81
4.3.6. Силицид никеля №812
4.3.7. Силицид никеля N181
4.3.8. Силицид никеля №281
4.3.9. Силицид молибдена Мо812
4.3.10. Силицид палладия Рс1281
4.3.11. Силицид платины Р181
4. 4. Закономерности поведения в, Д-состояний кремния в
силицидах переходных металлов
4.5. Электронная структура силицидов и ё-в, р-резонанс
4.6. Особенности электронного строения
тонкоплёночных силицидов

в зависимости от материала составляет 20-90 нм. При необходимости исследовать большие толщины следует использовать или более жесткое излучение, например мягкого диапазона, или какой - либо способ удаления слоев. Методика, основанная на вариации энергии возбуждающих электронов, имеет весьма существенный недостаток, состоящий в том, что получение информации о каком-либо скрытом слое требует математической обработки спектра и, в связи с этим, регистрации спектра с высокой точностью. Способ послойного анализа, связанный с удалением слоев, допускает обычные требования к точности регистрации спектра, но в этом случае возникает вопрос о нарушении поверхности в процессе снятия слоя. Наиболее универсальным методом удаления слоев при анализе тонких пленок и поверхности является распыление низкоэнергетическими ионами инертного газа.
1.2.1.4.3. Закономерности распыления многокомпонентных мишеней при бомбардировке низкоэнергетическими ионами
Распыление силицида является типичной задачей о многокомпонентной мишени, имеющей большое значение, как для развития теории, так и практических применений.
При распылении мишеней сложного состава компоненты могут эжектироваться с отклонением от стехиометрии, в связи с чем, состав материала должен измениться в некотором интервале глубин под бомбардируемой поверхностью [20]. Уменьшение концентрации быстро распыляющейся компоненты в приповерхностной зоне ведет к уменьшению скорости ее распыления. По истечении некоторого времени достигается стационарный режим, в котором состав потока распыленных атомов соответствует составу в объеме сплава, а распределение концентрации в приповерхностном слое не изменяется.