Природа резонансного фотопоглощения субвалентных оболочек многоэлектронных систем в области вакуумного ультрафиолета и мягкого рентгеновского излучения

• Автор: Лагутин, Борис Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Ростов-на-Дону
• Количество страниц: 353 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОИОНИЗАЦИИ ВНЕШНИХ ОБОЛОЧЕК АТОМОВ
1.1 Основные экспериментальные методы
1.2 Основные теоретические соотношения, описывающие фотоионизацию
1.3. Сложная структура уровней конечного состояния иона Rg II
1.4. Проявление многоэлектронных эффектов в энергетической структуре
молекул и твердых тел
1.5. Сечения фотоионизации субвалентных ив2 оболочек атомов и угловое
распределение фотоэлектронов
1.5.1. Сечение фотоионизации Зэ2 оболочки Аг
1.5.2. Сечение фотоионизации 5з-оболочки Хе и параметр углового распределения фотоэлектронов
1.6. Автоионизационные резонансы в сечениях фотоионизации пя-уровней атомов
благородных газов в области порога
1.7. Сечение фотоионизации сателлитных уровней, соответствующих основному
нв-уровню Кц
1.8. Радиационный распад и время жизни субвалентных вакансий Rg атомов
1.9. Заключительные замечания
ГЛАВА 2. МЕТОД РАСЧЕТА ЭНЕРГИЙ И ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ ОСТОВА В НАЧАЛЬНОМ И КОНЕЧНОМ СОСТОЯНИЯХ ПРОЦЕССА ФОТОИОНИЗАЦИИ

2.1. Приближение Хартри-Фока-Паули
2.1.1. Алгоритм расчета релятивистских поправок и его компьютерная реализация
2.1.2. Замечания вычислительного характера
2.2. Метод расчета потенциалов ионизации однодырочных состояний
2.2.1. Основные уравнения метода
2.2.1.1. Секулярное уравнение
2.2.2. Потенциалы ионизации однодырочных состояний (уровни первой группы)
2.2.2.1 Диагональные матричные элементы гамильтониана
2.2.3. Выбор базисного набора и сходимость метода
2.2.3.1. Размер базисного набора АО
2.2.3.2. Параметры, используемые при расчете
2.2.3.3. Особенности метода и его точность
2.2.4. Расчеты потенциалов ионизации для однодырочных уровней
2.2.4.1. Корреляционные энергии
2.2.4.2. Результаты расче тов потенциалов ионизации для однодырочных уровней
2.2.4.3. Потенциалы ионизации: одноэлектронное приближение
2.2.4.4. Потенциалы ионизации: многоэлектронное приближение
2.2.4.5. Заключительные замечания но расчету ИП однодырочных состояний
2.3. Потенциалы ионизации субвалентной оболочки и соответствующих
сателлитных уровней
2.3.1. Диагональные матричные элементы дискретных базисных состояний «две дырки - одна частица»
2.3.2. Недиагональные матричные элементы в сскулярном уравнении. Эффективное уменьшение кулоновского взаимодействия электронов
2.3.2.1. Взаимодействие конфигураций и «s2np4m(d/sj ш
2.3.2.2.Учет состояний ns2«p4£d непрерывного спектра в наборе сильновзаимодействующих конфигураций

2.3.2.3. Взаимодействие между конфигурациями ns2np4ml и ns2np4m'l'
2.3.2.4. Постоянные спин-орбитального взаимодействия для /гр-электронов.

2.3.2.5. Корреляционное влияние слабовзаимодействующих конфигураций на радиальные части АО электронов в конфигурациях ns2np4ml
2.3.3. Сводка величин, используемых при расчете матричных элементов
секулярного уравнения
2.4 Уровни ионов Aril, KrII и Xell в конечном состоянии процесса
фогоионизации
2.4.1. Численный расчет и идентификация состояний иона KrII
2.4.2. Численный расчет состояний иона Aril
2.4.3. Численный расчет' состояний иона Xell
2.4.4. Заключительные замечания
ГЛАВА 3. СЕЧЕНИЯ ИОНИЗАЦИИ И УГЛОВЫЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ
ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ДЛЯ ОСНОВНОЙ ЛИНИИ И КОРРЕЛЯЦИОННЫХ САТЕЛЛИТОВ АТОМОВ БЛАГОРОДНЫХ ГАЗОВ
3.1 Формульные выражения для сечений фотоионизации и параметров углового
распределения фотоэлектронов
3.1.1. Общие формулы для сечений и параметра анизотропии фотоэлектронов.

3.1.2. Четные конечные состояния иона с J‘ =1/2
3.1.3. Четные конечные состояния иона с Je >1/2
3.1.4. Нечетные конечные состояния иона, J°
3.2 Методика расчета амплитуд переходов
3.2.1. Атомные орбитали электронов остова и возбужденных состояний для расчета амплитуд переходов
3.2.2. Расчет корреляционной амплитуды е) в схеме (3.2), содержащей интеграл вида (ер |с?| e'(d/s))

конфигураций, в которых внешний wd-электрон принадлежит дискретному набору, но также и состояний континуума 3p4('D).sd 2S1/2, по которым в (1.18) выполняется интегрирование. Важную роль |3p4('D)p® 2SM) = XaS|3p4nd)+j)|3p4al (1.19)

Функция fj’ эффективно учитывает вклад всех (п/е)с1-состояний в 'F,, и локализована внутри иона. Такая локализация обеспечена именно непрерывной частью разложения (1.19), поскольку функции дискретных, nd-состоягшй
Аг I
Рисунок 1.4. Схема, демонстрирующая причину возникновения сателлитной части ФЭС: многоконфигурационный характер состояний иона Аг II.