Деструкция ионных соединений под действием ионизирующих излучений

• Автор: Павлык, Богдан Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Львов
• Количество страниц: 204 c. : ил

I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Образование сложных радиационных дефектов
в ионных кристаллах
1.1.1. Механизмы создания первичных радиационных дефектов
1.1.2. Конечные продукты радиолиза.
Коллоидальные центры и методы их исследования
1.1.3. Радиационные процессы при высоких температурах
1.1.4. V -центры и их агрегаты
1.1.5. Влияние примесей на процессы агрегатизации центров окраски
1.1.6. Другие протяженные дефекты
1.2. Распыление кристаллов ионных соединений
под действием ионизирующих излучений
1.2.1. Электронное распыление диэлектрических соединений
1.2.2. Деструкция ЩГК под действием когерентного излучения
1.2.3. Радиолиз ЩГК под действием рентгеновского и ^ -облучения
1.3. Проблема водородных центров в ЩГК

2. ОБРАЗОВАНИЕ И КОАГУЛЯЦИЯ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ЩГК
ПОД ДЕЙСТВИЕМ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
2.1. Накопление и коагуляция V -центров в кристаллах №С1 , легированных ионами ОНи О-- под действием радиации
2.2. Высокодозное облучение кристаллов МаСЬО""
2.3. Высокотемпературное облучение
кристаллов МаС{-0"~
2.4. Превращение центров окраски в процессе термического отжига
Выводы 2 главы
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ДЕСТРУКЦИИ
КРИСТАЛЛОВ №С1 И СаГ2
3.1. Получение монокристаллических образцов
для исследований
3.2. О влиянии ионов ОН" и 0"" на процесс
радиолиза кристаллов ИаС1
3.3. Методика масс-спектрометрических исследований процесса радиолиза
3.3.1. Выделение продуктов радиолиза при термическом отжиге облученных
кристаллов ЫаС1 и Na.Br
3.3.2. Термостимулированная эмиссия продуктов радиолиза монокристаллов N0(4 й СаГ2
3.4. Количественный анализ процесса радиолиза кристаллов №С1 , №С1-0Н~и ЫаС1
3.5. Механизм выделения продуктов радиолиза из облучаемых ионных соединений

3.6. Микроскопические исследования радиационного
распыления кристалла ЫаС1"0~"
Выводы 3 главы
4. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ И ТЕРМИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ ВОДОРОДНЫХ ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ №С1 ,
ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ ОН"
4.1. ИК-спектры облученных кристаллов ЫаСЧ ,
ЫаС1 - ОН ~ и N001-0"“
4.2. Фотохимические превращения водородных
центров в кристаллах ЫаС1~9
4.3. Особенности высокотемпературного УФ-облучения
и отжига облученных кристаллов А1йС^~0
4.4. Масс-спектрометрические исследования выделения водорода из облученных кристаллов N001 иМаВг, легированных
водородсодержащими примесями
4.5. Влияние электрического поля и температуры на эффективность газовыделения из кристаллов
при УФ-облучении
Выводы 4 главы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
50.
лении как [ПО], так и [211].
Импульс рубинового лазера продолжительностью 30 не фокусировался на прозрачный образец в вакууме. Выделение нейтральных частиц регистрировалось с помощью масс-спектрометра, и появление „пятен" травления в направлении [ПО] объясняется на основании экситонного механизма - направлением распространения цепочки смещений. Для наблюдавшихся четырех пятен равной интенсивности в направлении [21I] и пятен в направлениях [133], [001], убедительного объяснения пока не найдено.
В работе /105/ при изучении влияния качества поверхности на экзоэмиссию частиц с поверхности монокристаллов КС! при импульсном лазерном ( Р = 3*103 Вт/см3, в = 0,9 см2 и частота следования импульсов 0,54-1,0 имп./мин.) облучении на зависимости количества эмиттированных частиц от числа последовательных облучений наблюдается ряд максимумов как для положительно заряженных, так и для отрицательно заряженных частиц. Характерным для них является резкое нарастание переднего фронта и медленное снижение до исходного уровня сигнала. Эти данные авторы /105/ связывают с протеканием накопительных процессов и свидетельствуют о дискретном характере десорбции компонент кристалла под действием когерентного излучения.
Исследование допорогового дефектообразования в монокристаллах Сйб /106, 107/ показали, что при лазерном воздействии (рубиновый лазер, Р = Ю8 Вт/см2, Т = 30 не) происходит выделение более летучей компоненты - серы и образование анионных вакансий. При этом атомы междоузельной серы уходят из зоны облучения. В результате воздействия импульсного лазерного излучения формируется низкоомный приповерхностный слой толщиной