Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле

• Автор: Дмитриевский, Александр Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Тамбов
• Количество страниц: 131 с. : ил.

Автор искренне благодарит своих научных руководителей профессора Головина Ю.И. и доцента Моргунова Р.Б. за их неоценимую помощь, которую они не жалея сил и времени оказывают своим ученикам.
Автор также благодарен своим соавторам Бадылевичу М.В., Жуликову С.Е., Иванову В.Е., а также всем сотрудникам кафедры теоретической и экспериментальной физики ТГУ за их теплое отношение и помощь, оказанную в получении и обсуждении экспериментальных результатов.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ
И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О ВЛИЯНИИ МАГНИТНОГО
ПОЛЯ НА ПЛАСТИЧНОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
1.1. Магнитопластические эффекты в ионных кристаллах
1.2. Влияние внешних факторов немагнитной природы на МПЭ
в ионных кристаллах
1.3. Механизмы влияния магнитного поля на пластичность кристаллов и противоречия между имеющимися теоретическими представлениями и экспериментальными результатами
1.4. Электронный парамагнитный резонанс, детектируемый по
изменению пластичности ионных кристаллов
1.5. Выводы и формулировка задач исследования
Глава 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1. Методики измерения параметров пластичности
после действия магнитного поля
2.2. Создание экспериментальных условий для детектирования парамагнитного резонанса по изменению пластичности кристаллов
2.3. Создание экспериментальных условий для оптического
подавления магнитопластического эффекта
2.4. Подготовка и контроль состояния образцов
перед экспериментами
2.5. Выводы

Глава 3. РАЗУПРОЧНЕНТЕ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ, ВЫЗВАННОЕ ДЕЙСТВИЕМ СКРЕЩЕННЫХ ПОСТОЯННОГО И МИКРОВОЛНОВОГО МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ В УСЛОВИЯХ ЭЛЕКТРОННОГО
ПАРАМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА
3.1. Спектры парамагнитного резонанса, детектируемого по изменению микротвердости и пробегов индивидуальных
краевых дислокаций
3.2. Чувствительность спектров магнитного резонанса, детектируемых по изменению пластичности, к примесному составу и предварительной магнитной обработке
3.3. Кинетические и термодинамические аспекты магниторезонансного разупрочнения кристаллов
3.4. Возможные схемы электронно-спиновых переходов, приводящих к пластификации ионных кристаллов
3.5. Выводы
Глава 4. ВЛИЯНИЕ СВЕТА ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА НА
СОСТОЯНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
4.1. Оптическое гашение магнитопластического эффекта и спектры поглощения света магниточувствительными точечными дефектами, детектируемые по изменению подвижности дислокаций
4.2. Кинетика фотостимулированного преобразования магниточувствительных комплексов точечных дефектов
4.3. Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта
4.4. Влияние Г-света на чувствительность пробегов дислокаций к магнитному полю в радиационно окрашенных кристаллах

удалениям радикалов даже в случае неподвижных дислокаций. Однако в рамках этого предположения остается непонятным причина атермичности МГ1Э [9].
3) Не ясен механизм генерации спиновой неравновесности в парах О...Р. В отсутствие неравновесной спиновой поляризации, пары О...Р будут с одинаковой вероятностью возникать в 8 и Т состояниях, а МП будет приводить лишь к взаимному обмену Б <=£ Т, не меняя заполнения этих состояний. Это означает, что необходимо учесть и проанализировать механизмы преимущественного заполнения парами Э...Р одного из спиновых состояний в отсутствие МП.
4) Считается, что спиновая конверсия в МП непосредственно приводит к изменению энергии связи дислокации со стопором. Вместе с тем, в энергию связи обязательно включается традиционно учитываемое упругое взаимодействие, которое может значительно изменить времена ожидания дислокации и, следовательно, условия спиновой конверсии. Неучет этого факта приводит к противоречиям при сопоставлении полевых зависимостей МПЭ, обнаруживаемого по изменению пробегов дислокаций и предела текучести (рис. 1.4).
5) В результате реакции между дислокацией и точечным дефектом с исходно неполяризованными спинами, по утверждению авторов [9,10], после отрыва дислокации от стопора снова образуется пара пространственно-разделенных дефектов с нескореллированными спинами. Впоследствии будет отмечено, что МП не влияет на протекание реакций без сохранения спина в продуктах. Это означает, что необходимо «найти третьего» партнера реакции, конкурирующего с радикалами В и Р, т.е. выполнить требования химической динамики.
6) Наконец, вышеописанная схема предназначена для объяснения МПЭ только в ситуации, когда МП приложено к кристаллам, в которых имеются движущиеся дислокации. Эта схема не может быть использована для интерпретации остаточных изменений в кристаллах, вызываемых МП, в многочисленных ситуациях обработки кристаллов полем до пластической деформации [21, 23, 25, 32, 33, 58, 59]. Другими словами, развитые в [9, 10] модели не учитывают всей совокупности возможных спин-зависимых реакций, влияющих на пластичность.