Излучательная рекомбинация в монокристаллических структурах фосфида галлия, арсенида галлия и пористом кремнии при изменении интенсивности оптического и электрического возбуждения
- Автор:
Салимзянов, Ришат Расихович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
80 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимодействия дислокаций с примесями и дефектами в кремнии и их влияние на электронные свойства кремния | Хорошева Мария Анатольевна | 2015 |
| Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов | Еханин, Сергей Георгиевич | 2002 |
| Эффекты акустооптического взаимодействия и интерференции в сложных оптических волноводных структурах | Царев, Андрей Владимирович | 2007 |