Влияние магнитного и ультразвукового полей на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов

• Автор: Красников, Виктор Львович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 224 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Взаимодействие между точечными дефектами и дислокациями в щелочно-галоидных кристаллах
1.2 Особенности краевой дислокации в щелочно-галоидных кристаллах. Влияние примесей на заряд дислокации
1.3 Экспериментальные работы по заряженным дислокациям
1.4 Влияние слабого магнитного поля на поведение дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах
1.4.1 Магнитопластический эффект в щелочно-галоидных кристаллах
1.4.2 Влияние переменных и импульсных магнитных полей на подвижность дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах
1.4.3 «Магнитная память» щелочно-галоидных кристаллов
с дислокациями
1.4.4 Макроскопический магниточувствительный эффект в щелочногалоидных кристаллах
1.4.5 Влияние магнитного поля на внутреннее трение диамагнитных кристаллов
1.4.6 Возможная интерпретация магнитопластического эффекта
ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Методика измерения внутреннего трения, дефекта модуля Юнга и ультразвукового воздействия на образцы
2.2 Метод вольтамперных характеристик
2.3 Данные об исследованных кристаллах
2.4 Методика создания магнитного и электрического полей в образце

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛБИ НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ НЕУПРУГОСТЬ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ
3.1 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов LiF
3.1.1 Влияние слабого магнитного поля на вольтамперные характеристики составного осциллятора с кристаллами LiF
3.1.2 Влияние слабого магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения кристаллов LiF
3.1.3 Влияние слабого магнитного поля на дефект модуля Юнга кристаллов LiF
3.1.4 Влияние магнитного поля на поведение образцов LiF с различной предысторией
3.1.5 Особенности полос скольжения, формирующихся в кристаллах LiF
при совместном действии ультразвукового и магнитного полей
3.2 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов NaCl
3.2.1 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики кристаллов NaClii
3.2.2 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения и дефекта модуля Юнга NaCln при
амплитудах є0 в интервале 10"бн-10"5
3.2.3 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения NaCln при амплитудах во, соответствующих отрыву дислокаций от локальных центров закрепления и размножению в поле ультразвуковой волны
3.2.4 Влияние магнитного поля на внутреннее трение NaCli при амплитудах относительной деформации во 10'5ч1 O'4
3.3 Влияние слабого магнитного поля на неупругие свойства кристаллов КС1

3.3.1 Влияние магнитного поля на начальные участки вольтамперных характеристик кристаллов КС1
3.3.2 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики кристаллов КС1 в широком интервале входных напряжений на кварце V
3.3.3 Влияние магнитного поля на внутреннее трение и дефект модуля Юнга кристаллов КС1
3.4 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов КВг
3.4.1 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики образцов КВг при напряжениях на кварце Кот 0 до 3 В
3.4.2 Влияние предварительной выдержки образцов КВг в магнитном
поле на вольтамперные характеристики составного осциллятора
3.4.3 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения и дефект модуля Юнга КВг
3.4.4 Влияние магнитного поля на параметры дислокационной
структуры щелочно-галоидных кристаллов
Выводы к главе
ГЛАВА 4. СРАВНЕНИЕ ВЛИЯНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО И МАГНИТНОГО ПОЛЕЙ НА НЕУПРУГИЕ СВОЙСТВА И ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ВИБРАЦИИ
4.1 Влияние электрического и магнитного полей на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов при малых амплитудах єо
4.1.1 Влияние электрического и магнитного полей на амплитудную зависимость внутреннего трения в интервале амплитуд во 10'6~10"5
4.1.2 Влияние электрического и магнитного полей на амплитудную зависимость внутреннего трения в интервале амплитуд Єо 10~5+10'4
4.1.3 Влияние электрического поля на амплитудную зависимость внутреннего трения при амплитудах, соответствующих размножению дислокаций в ультразвуковом поле

Продолжение таблицы
Кристалл Содержание двухвалентных примесей Метод -Qi Ю'10Кл/м Авторы
общий состав: КГ4 вес.% Идентирование. 0.00033 Г оловин,
10-4 вес.% Импульсное сжатие. 0.033 Дьячек, Долгова [30]
№С1 30 р.р.т Мп2+ Деформационное сжатие с постоянной скоростью деформации. 0.25 Brissenden [47]
0.24 р.р.т Мп2+ Низкочастотная циклическая 0.026 Huddart, Whitworth
14 р.р.т Мп2+ деформация. 1.3 [48]
116 р.р.т Мп2+ -II- 1.4 Turner, Whitworth .[49]