Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах

• Автор: Левшин, Николай Леонидович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 434 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 .МОДЕЛИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ
ПОЛУПРОВОДНИК
§1.1. Краткие сведения о материалах, претерпевающих
фазовый переход металл - полупроводник
§1.2. Основные модели ФПМП
1.2.1. Модель Мотта - Хаббарда
1.2.2. Модели, учитывающие электрон - фононное взаимодействие
1.2.3. Модели, учитывающие электрон - электронное и электрон - фононное взаимодействие
1.2.4. Модель Хирна
§1.3. Модель фононного энгармонизма ФПМП
1.3.1. Модельный гамильтониан
1.3.2. Свободная энергия кристалла
1.3.3. Определение подгоночных параметров модели ФПМП
§1.4. Приложения модели фононного ангармонизма
1.4.1. Удлинение образца У02 вдоль кристаллографической оси с при ФПМП
1.4.2. Зависимость ширины энергетической щели У02 от температуры в полупроводниковой фазе
1.4.3. Влияние одноосного и гидростатического давлений на параметры ФПМП
§1.5. Влияние примесей на величину критической
температуры ФПМП
ВЫВОДЫ ИЗ ГЛАВЫ
ГЛАВА 2. ВЗАИМОСВЯЗЬ АДСОРБЦИОННО - ДЕСОРБЦИОННЫХ
ПРОЦЕССОВ ФППМ В ПЛЕНКАХ У02
§2Л. Структура пленок диоксида ванадия
§2.2. Изменение электрофизических свойств пленок У02
в полупроводниковой фазе при адсорбции
§2.3. Влияние адсорбции молекул на температуру ФППМ
§2.4. Изменение температуры ФППМ при адсорбции ионов
§2.5. Влияние ФППМ на десорбционную способность пленок У02
2.5.1. Влияние прогревов образцов в вакууме на термодесорбцию молекул воды с поверхности У02
2.5.2. Изменение проводимости пленок при термовакуумных обработках
2.5.3. Возрастание термодесорбции 02, СО и С02 с
поверхности пленок при ФППМ
ВЫВОДЫ ИЗ ГЛАВЫ
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СВЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ НА
СВОЙСТВА ПЛЕНОК У02, ПРЕТЕРПЕВАЮЩИХ ФППМ
§3.1. Изменение параметров ФППМ под действием светового
облучения в ультрафиолетовом диапазоне
3.1 Л. Влияние прогревов в вакууме при температурах
свыше 400К на свойства пленок У02
3.1.2. Изменение свойств пленок У02 под действием
облучения в ультрафиолетовом диапазоне
3.1.3. Воздействие облучения ультрафиолетом на пленки У02 с удаленным деструктурированным приповерхностным слоем
3.1.4. Возрастание фото десорбции атомов и молекул с поверхности
У02 при критической температуре ФППМ
§3.2. Фотосенсибилизация ФППМ в пленках диоксида ванадия

3.2.1. Экспериментальное исследование эффекта фотосенсибилизации ФППМ
3.2.2. Обсуждение возможных механизмов эффекта фотосенсибилизации ФППМ
§3.3. Влияние поверхностных воздействий на эффект
переключения УОг
§3.4. Исследование фототермической деформации поверхности
пленок УОг при ФППМ
3.4.1. Зависимость сигнала ФТДП от температуры образца УОг
3.4.2. Влияние энергии лазерного импульса на кинетику ФТДП
3.4.3. Зависимость сигнала ФТДП от расстояния от центра пятна греющего лазера
ВЫВОДЫ ИЗ ГЛАВЫ
ГЛАВА 4. ВЗАИМОСВЯЗЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЯВЛЕНИЙ И СЕГ-
НЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА
§4.1. Краткие сведения о сегнетоэлектрических материалах
4.1.1. Механизм фазового перехода сегнетоэлектрик - параэлектрик
4.1.2. Свойства неорганических сегнетоэлектрических материалов
4.1.3. Органические сегнетоэлектрики
§4.2. Влияние переполяризации и фазового перехода на электрофизические и десорбционные характеристики структур кремний -сегнетоэлектрик
4.2.1. Вольт - фарадные характеристики структур полупрводник-сегнетоэлектрическая пленка при различных поляризациях
сегнетоэлектрика
4.2.2. Вольт - амперные характеристики структур полупроводник -сегнетоэлектрическая пленка при различных поляризациях
сегнетоэлектрика
4.2.3. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода

следующим образом: воспользовавшись методом уравнений движения [65] можно привести гамильтониан (1.10) к диагональному виду путем линейного преобразования:
(Хр ир ар "Ь Ур а р-я9 (1.13)
где ир, Ур - некоторые числа.
Рассчитывая комутатор [ар> Н] и используя (1.10) и (1.12), приравняем соответствующие выражения и получим систему линейных однородных уравнений для величин ир и Ур
+О„У
к», Ф,,’
Необходимым и достаточным условием существования нетривиального решения системы (1.14) является нулевое значение определителя этой системы. Значение єр, то есть энергетический спектр электронной составляющей гамильтониана, получается в виде:
Вр +в,.я +ВР_,)2-4(ВРВР -СрСр_к)
Подставляя значения Вр и Ор из (1.11) получаем:
(1.15)
8±(р)= ±2Ъ2Соз2(р) + 02Зт2(р), (1.16)
.. 2л л ... , ч
р = 0,—(N-1). У N N
Энергия а (р) представляет собой дисперсионную кривую электронов в кристалле. Ее вид графически представлен на рис.4а. При переходе в полупроводниковую фазу в результате попарного сближения атомов