Электропроводность силицидно-оксидных композитов

• Автор: Вечерский, Сергей Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 184 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. НЕКОТОРЫЕ ПОДХОДЫ К ИЗУЧЕНИЮ ЭЛЕКТРОПЕРЕНОСА В КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛАХ ТИПА МЕТАЛЛ -СТЕКЛО. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА “МЕТАЛЛИЧЕСКОГО” И ОКСИДНОГО КОМПОНЕНТОВ КОМПОЗИТОВ СИЛИЦИДЫ ЖЕЛЕЗА - СТЕКЛО (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
1.1 .Электропроводность двухфазных композиционных материалов типа металл - полупроводник (диэлектрик)
1.2. Межфазное взаимодействие между компонентами композиционных материалов и его влияние на макроструктуру композитов
1.3. Краткая характеристика электрофизических свойств дисилицида железа
1.4. Физико-химические свойства оксидного компонента композитов
1.5. Механизмы проводимости оксидного'компонента композиционных образцов
1.6. Некоторые подходы к изучению механизмов проводимости многофазных систем. Постановка задачи исследования
2. МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ МНОГОФАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ДИСИЛИЦИДА ЖЕЛЕЗА ОКСИДНЫХ СТЕКОЛ
2.1. Методика приготовления дисилицида железа и керметов на его основе
2.2. Оксидный компонент композиционных образцов
2.3. Методика приготовления композиционных образцов
2.4. Исследование фазового состава, кинетики межфазного взаимодействия и температурной зависимости сопротивления многофазных образцов
2.5. Методика обработки результатов измерения электропроводности
3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ КРЕМНИЙ -БАРИЕВОБОРОМОЛИБДАТНОЕ СТЕКЛО И ДИСИЛИЦИД ЖЕЛЕЗА - МоО.., - БАРИЕВОБОРОСИЛИКАТНОЕ СТЕКЛО
3.1 Электропроводность композитов Зі - бариевоборомолибдатное стекло, приготовленных в инертной среде
3.2. Концентрационный переход металл - неметалл в спеченных на воздухе композитах Бі - бариевоборомолибдатное стекло
3.3. Электросопротивление композитов дисилицид железа МоОз -бариевоборосиликатное стекло
3.4. Электросопротивление композитов дисилицид железа -МоОз-стекло №1 при наличии эвтектоидного превращения в лебоитс
3.5. Основные результаты исследования электросопротивления в композитах бариевоборомолибдатное стекло и дисилицид железа - МоО-, - бариевоборосиликатное стекло (выводы)
4. ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ КОМПОЗИТОВ, ПРИГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КЕРМЕТОВ, СОДЕРЖАЩИХ СМЕСЬ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА
4.1. Фазовый состав и электрические свойства кермстов
4.2. Средняя проводимость и среднее сопротивление регулярной сетки эффект ивных проводимостей
4.3. Анализ сопротивления керметных образцов
4.4. Свойства композитов, приготовленных на основе керметов и бариевоборосиликатного стекла, при спекании компонентов в инертной среде
4.5. Электросопротивление композитов, содержащих силициды железа ибариевоборомолибдатное стекло
4.6. Основные результаты исследования свойств керметов. содержащих силициды железа, и композитов, приготовленных на их основе(выводы)
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ I. Расчет погрешности измерения сопротивления
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. К расчету среднего сопротивления микроконтактов

Таблица 1.
Кристаллографические параметры оксидов молибдена [54]
№ Оксид Область сущест- вования, К Сингония Параметры решетки
а, нм Ь, нм с, нм Р°
1 Мо30 < 1373 кубическая 0,5549 - - -
2 М0О2 - моноклинная 0,5608 0,4842 0,5517 119,
3 М04О11 < 888 моноклинная 2,454 0,5439 0,6701 94,
888-1073 ромбическая 2,449 0,5457 0
4 Мо17047 < 873 ромбическая 2,1615 1,963* 0
5 МоОз.з не стабилен тетрагональ- ная 4,999 0,3937 -
6 Мо802! 923-1063 моноклинная 1,688 0,4052 1,339 73,
7 Мо902б 873-1023 873-1053 триклинная моноклинная 0,8145 1,680 1,189 0,4039 1,966 1,458 а=95,47 (3=90,39 у=109.97 95,
8 М0О3* плавится при 1070 ромбическая 0,3966 0,3962 0,393 0,3963 1,388 1.3855 1,397 1.3855 0,3703 0,3701 0,367 0,3
* - приведены параметры элементарной ячейки, указанные в различных литературных источниках
Согласно [6], эмиссия кислорода происходит не случайным образом, когда возникают изолированные кислородные вакансии (соответственно образуются ионы Мо' ), а сопровождается сжатием решетки в определенных направлениях, что приводит к кристаллографическим сдвигам. В результате образуются гомологические ряды оксидов МОцОзц.) (п = 8, 9) и МопОзп з (п = 18),