Кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-xMnxGeAs2 и Cd1-xMnxGeP2 при высоком давлении до 7 ГПа

• Автор: Арсланов, Темирлан Расулович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 133 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение

Г лава I. Литературный обзор

1. Кристаллическая структура соединений АПВ1УСУ2

1.1 Кристаллическая структура СсЮеАБг

1.2 Кристаллическая структура СсЮеР2

1.3 Кристаллическая структура ХпОеАьг

1.4 Кристаллическая структура ZnGeP2

2. Электрофизические свойства полупроводников АИВ1УСУ2

3. Влияние введения сі-олементов (Мп, Сг, Ре) на магнитные свойства

полупроводников АС

3.1 СсЮеА82
3.2 СсЮеР2
3.3 2пОеАз2
3.4 гпОеР2
3.5. Магнитные свойства МпАь и МпР
Глава II. Методика и техника эксперимента
2.1. Обзор методов создания гидростатического давления
2.2. Аппарат высокого давления типа «Тороид»
2.3. Создание гидростатического давления до 9 ГПа с помощью
аппарата «Тороид»
2.4. Экспериментальная установка и методика измерения удельного
сопротивления, магнитосопротивления и коэффициента Холла при
гидростатическом давлении до 9 ГГІа
2.5. Методика измерения магнитной восприимчивости и объемной
магнитострикции под давлением

Г лава III. Экспериментальная часть
3.1. Кинетические свойства СсЮеАэ? с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
3.2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеАз2 с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
Глава IV. Экспериментальная часть
4.1. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
4.2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
Выводы
Список литературы

Введение
Начиная с 90-х годов активно развивается новое направление физики твердого тела, связанное с возможностью переноса ориентированного спина электрона из ферромагнетика в немагнитный полупроводник [1, 2]. Прикладное направление этих исследований получило название спинтроники [3]. Эти исследования важны для создания одноэлектронных логических структур, и спин-информационных систем для- информатики (в данном случае спиновой информатики, в которой информационной ячейкой памяти служит спин электрона: один спин - один; бит информации [4]). В. твердотельной1 электронике спиновый токоперенос открывает новую возможность управления магнитным полем характеристиками различных устройств - диодов, триодов- и т. д., т.е. появляется дополнительная степень свободы. Использование в качестве эмиттеров поляризованных спинов ферромагнитных (ФМ) металлов дает степень спиновой поляризации не более 10%. Значительно более высокая степень поляризации (до 100%) была получена в структурах полупроводник -ЕиО и полупроводник-халькогенидные шпинели, но при криогенных температурах, что неудобно для практических приложений. Кроме того, в этом случае возникает технологическая проблема создания хорошего электрического контакта между ферромагнетиком и полупроводником.
Получить хороший электрический контакт и высокую степень поляризации по спину тока можно," создав ФМ-полупроводник с температурой Кюри выше комнатной путем легирования примесями с неполностью заполненными Зб-оболочками. Именно поэтому внимание исследователей сосредоточилось на создании ФМ-полупроводника путем легирования марганцем широко используемых в микроэлектронике полупроводников, в первую очередь соединений АШВУ. Наиболее изученным представителем этого класса материалов является Gai.xMn.xAs, в котором был обнаружен ферромагнетизм с температурой Кюри Тс, не превышающей 170 К [5, 6].

Рисунок 10. Ампула, предназначенная для работы с жидкими средами в аппарате типа «тороид» [74].