Структурные и магнитные фазовые переходы в сложных празеодим-марганцевых оксидах при высоких давлениях

• Автор: Чан Туан Ань
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Тула
• Количество страниц: 120 с. : ил.

Содержание диссертации
ВВЕДЕНИЕ
FJIABA 1. ОБЗОР ОСНОВНЫХ СВЕДЕНИЙ О СТРУКТУРЕ И ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ОБЪЕКТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ
1.1 ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА МАНГАНИТОВ
1.2 СТРУКТУРА И СВОЙСТВА Рг0.7Сао.зМпОз
1.2.1 Фазовая диаграмма и свойства Рг!.хСахМпОз
1.2.2 Кристаллическая структура и свойства Рг0.7Са0.зМпОз
1.3 СТРУКТУРА И СВОЙСТВА Рго.7Ва0.зМпОз
1.3.1 Фазовая диаграмма и свойства Ргі.хВахМпОз
1.3.2 Кристаллическая структура и свойства Рг0.7Вао.зМпОз
1.4 СТРУКТУРА И СВОЙСТВА Pro.gNacuMnOj
1.4.1 Фазовая диаграмма и свойства Рг,.х]ЧахМпОз
1.4.2 Физические свойства Рго.зИао.гМпОз
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ И ПРИБОРНАЯ БАЗА, ИСПОЛЬЗОВАННАЯ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1 ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА И ДОСТОВЕРНОСТЬ РЕЗУЛЬТАТОВ
2.2 НЕЙТРОННАЯ ДИФРАКЦИЯ ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ И НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
2.2.1 Основы дифракции нейтронов. Метод времени пролета. Методы анализа экспериментальных данных
2.2.2 Специализированный спектрометр ДН-12 для исследования микрообразцов при высоких давлениях и низких температурах
2.2.3 Камера высокого давления с сапфировыми наковальнями
2.2.4 Дифрактометр «GEM»
2.3 РЕНТГЕНОВСКИЙ ДИФРАКТОМЕТР ДЛЯ СТРУКТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ

2.4 СПЕКТРОМЕТР РАМАНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИНАМИКИ КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД ПРИ
ВЫСОКОМ ДАВЛЕНИИ
ГЛАВА 3. СТРУКТУРНЫЕ И МАГНИТНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В СЛОЖНЫХ ОКСИДАХ Рг,.хАхМпОз (А= Са, Ва, Ха) ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ
3.1 СТРУКТУРНЫЕ И МАГНИТНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В Рго.7Са0.зМпОз ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ
3.1.1 Исследование кристаллической структуры Рг0.7Са0.зМпОз методом рентгеновской дифракции при высоком давлении
3.1.2 Влияние высокого давления на спектры рамановского рассеяния света манганита Рго.7Са0.зМпОз
3.1.3 Влияние высокого давления на магнитную структуру РголСао.зМпОз
3.2 СТРУКТУРНЫЕ И МАГНИТНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В Рго.7Вао.зМп03 ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ
3.2.1 Исследование кристаллической структуры Рг0.7Ва0.зМпОз методом рентгеновской дифракции при высоком давлении
3.2.2 Влияние высокого давления на магнитную структуру РголВао.зМпОз
3.2.3 Влияние высокого давления на спектры рамановского рассеяния света манганита Рг0.7Вао.зМпОз
3.3 СТРУКТУРНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В РГо.8Хао.2МпОз ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ
3.3.1 Исследование кристаллической структуры Рго.вИао.гМпОзметодом рентгеновской дифракции при высоком давлении
3.3.2 Влияние высокого давления на спектры рамановского рассеяния света манганита Рго.8Иа0.2МпОз
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы
После открытия в 1990-х годах высокотемпературной сверхпроводимости в оксидных соединениях на основе меди интерес исследователей привлекла еще одна группа оксидных материалов со структурой перовскита - легированные манганиты К|.хАхМп03 (И. - редкоземельный, А - щелочной или щелочноземельный элементы). Манганиты привлекали внимание исследователей еще с 1950-х годов после открытия в них интересных транспортных свойств [40]. Особо большой интерес к исследованиям состояния и свойств перквскитопо-добных манганитов был возобновлен в 90-х годах прошлого века, что связано с открытием, в частности, в этих соединениях эффекта колоссального магнетосо-противления [11, 34, 65].
В настоящее время известно, что манганиты могут быть как металлами, так и диэлектриками. В зависимости от состава они проявляют ферромагнитные и антиферромагнитные свойства. В манганитах наблюдаются различные типы зарядового и орбитального упорядочения, фазовое расслоение. В целом манганиты характеризуются сильной корреляцией структурных, транспортных и магнитных свойств. Наличие эффекта колоссального магнетосопротивления делает эти соединения перспективными для создания нового поколения записывающих магнитных головок для жестких магнитных дисков и различных чрезвычайно чувствительных датчиков магнитного поля.
Механизм этих явлений связан с одной стороны с появлением сильного ферромагнитного сверхобменного взаимодействия, которое возникает при легировании кристалла А- Са2+, Бг2+, Ва2+, Иа+, К+ (двойной обмен [7, 11, 71]). С другой стороны, важную роль здесь играют искажения кристаллической решетки, обусловленные эффектом Яна - Теллера на ионах Мп3+ [91] и образованием магнитных поляронных состояний, а также структурные неоднородности, связанные с легированием иона А, что проявляется в заметной асимметрии фазо-

Т (К)
Рис. 1.19 Температурная зависимость удельного сопротивления манганита Pro.7Bao.3MnOз при различных значениях приложенного магнитного поля. Вставка: температурная зависимость намагниченности РС при различных значениях приложенного магнитного поля [27]
Полевая зависимость удельного атомного момента при температуре 3 К представлена на рис 1.20. Значение насыщения спонтанного атомного магнитного момента при Т= 3 К для манганита РгодВао.зМпОз составляет 05= 3.6рВ-